用于植物照明的发光二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种用于植物照明的发光二极管及其制作方法，其依次包括外延生长的第一红光发光外延叠层、DBR半导体叠层及第二红光发光外延叠层，其中第一红光发光外延叠层包含第一N型欧姆接触层、第一N型覆盖层、第一发光层、第一P型覆盖层及第一P型欧姆接触层，所述第二红光发光外延叠层包含第二N型欧姆接触层、第二N型覆盖层、第二发光层、第二P型覆盖层及第二P型欧姆接触层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体照明领域，具体的说是用于植物照明的发光二极管及其制作方法。
技术介绍
植物照明应用的LED波长主要为深蓝光（450nm）、超红光（~660nm）与远红光（~730nm)，其中深蓝光和超红光提供光合作用所需光线，远红光可控制植物从发芽到营养生长再到开花的整个过程。目前，市场的使用方式多为将深蓝光、超红光及远红光LED芯片单一波长逐一封装，再将个别封装体按各种排列方式组装于灯版上，如图1所示。然而受控于空间有限与成本问题，未来所使用的LED颗数越少越好，尺寸越小越好。
技术实现思路
针对前述问题，本专利技术提出一种用于植物照明的发光二极管及其制作方法，其使用超红光与远红光叠层外延生长方式搭配芯片制程，减少封装数目及植物照明灯板面积，降低成本。根据本专利技术的第一个方面，用于植物照明的发光二极管外延片，从下到上依次包括：生长衬底、第一红光发光外延叠层、DBR半导体叠层及第二红光发光外延叠层，其中第一红光发光外延叠层包含第一N型欧姆接触层、第一N型覆盖层、第一发光层、第一P型覆盖层及第一P型欧姆接触层，所述第二红光发光外延叠层包含第二N型欧姆接触层、第二N型覆盖层、第二发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于植物照明的发光二极管外延片，从下到上依次包括：生长衬底、第一红光发光外延叠层、DBR半导体叠层及第二红光发光外延叠层，其中第一红光发光外延叠层包含第一N型欧姆接触层、第一N型覆盖层、第一发光层、第一P型覆盖层及第一P型欧姆接触层，所述第二红光发光外延叠层包含第二N型欧姆接触层、第二N型覆盖层、第二发光层、第二P型覆盖层及第二P型欧姆接触层。

【技术特征摘要】
1.用于植物照明的发光二极管外延片，从下到上依次包括：生长衬底、第一红光发光外延叠层、DBR半导体叠层及第二红光发光外延叠层，其中第一红光发光外延叠层包含第一N型欧姆接触层、第一N型覆盖层、第一发光层、第一P型覆盖层及第一P型欧姆接触层，所述第二红光发光外延叠层包含第二N型欧姆接触层、第二N型覆盖层、第二发光层、第二P型覆盖层及第二P型欧姆接触层。2.根据权利要求1所述的用于植物照明的发光二极管外延片，其特征在于：所述DBR半导体叠层的掺杂溶度不大于5E17，形成一高阻值界面。3.根据权利要求1所述的用于植物照明的发光二极管外延片，其特征在于：所述第一发光层的发光波长为710nm~750nm，所述第二发光层的发光波长为640~680nm。4.根据权利要求1所述的用于植物照明的发光二极管外延片，其特征在于：所述DBR半导体叠层与第二红光发光外延叠层之间还设有一蚀刻截止层。5.用于植物照明的发光二极管芯片，从上至下包括：第一红光发光外延叠层、DBR半导体叠层、第二红光发光外延叠层及导电基板；所述第一红光发光外延叠层包含第一N型欧姆接触层、第一N型覆盖层、第一发光层、第一P型覆盖层及第一P型欧姆接触层；所述第二红光发光外延叠层包含第二N型欧姆接触层、第二N型覆盖层、第二发光层、第二P型覆盖层及第二P型欧姆接触层；所述第二红光发光外延叠层所述第一红光发光外延叠层的发光面积小于所述第二红光发光外延叠层的发光面积；所述第一N型欧姆接触层上设有第一电极，所述第一P型欧姆接触层与所述第二N型欧姆接触层之间设有电连接结构，第二P型欧姆接触层上设有第二电极。6.根据权利要求5所述的用于植物照明的发光二极管芯片，其特征在于：所述第一发光层的发光波长为710nm~750nm，所述第二发光层的发光波长为640~680nm。7.根据权利要求5所述的用于植物照明的发光二极管芯片，其特征在于：所述DBR半导体叠层与第二红光发光外延叠层之间还设有一蚀刻截止层。8.根据权利要求5所述的用于植物照明的发光二极管芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴超瑜，吴俊毅，黄俊凯，王笃祥，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12