温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种浅沟槽隔离的工艺方法，包括：提供一半导体衬底，在衬底上形成硬质掩膜层；采用刻蚀工艺在衬底中形成隔离沟槽；对硬质掩膜层进行回刻，并在隔离沟槽侧壁、底部表面形成内衬层；沉积隔离介质层充满所述隔离沟槽并覆盖硬质掩膜层的表面，并对隔离...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。