半导体装置制造方法及图纸

配置有IGBT的IGBT部(10)和配置有控制电路的电路部(20)被配置于同一半导体芯片上。在电路部(20)，在与IGBT部(10)的边界配置有电介质分离区(40)。在半导体芯片的正面侧的表面层，从IGBT部(10)到电路部(20)的范围内设置有p+型区域(4)。在电路部(20)，在与IGBT部(10)的边界，以从芯片正面贯通p+型区域(4)而到达n-型漂移区(3)的深度设置有电介质分离层(5)，并构成电介质分离区(40)。p+型区域(4)通过电介质分离层(5)被分离为IGBT部(10)侧的第一p+型区域(4-1)和电路部(20)侧的第二p+型区域(4-2)。第一p+型区域(4-1)、第二p+型区域(4-2)成为接地电位。由此，能够实现电路整体的小型化以及低成本。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
作为将导入至车辆等中使用的汽油发动机的燃烧室内的混合气体点燃并使其燃烧的内燃机用点火装置的构成部，有控制向点火线圈的初级侧线圈流通的低压电流的半导体装置(点火器)。以往，作为点火器，已知有将构成使流通初级侧线圈的低压电流通断的开关的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，和用于控制该IGBT的电路部配置于同一芯片上的单芯片点火器。现有的单芯片点火器具备通过将IGBT和电路部的元件隔开预定距离地配置，从而能够进行电分离，且易于制造的自分离结构。对现有的自分离结构的单芯片点火器的结构进行说明。图14是示出现有的单芯片点火器的平面布局的俯视图。图15是示出在图14的剖切线AA-AA’位置的截面结构的截面图。如图14、图15所示，现有的单芯片点火器在p+型半导体基板101上例如依次进行n+型缓冲区102、n-型漂移区103的外延生长，并在n-型漂移区103的表面层由多个p+型区104扩散而成的半导体芯片上具备IGBT部110、电路部120本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，是在同一半导体基板具备绝缘栅双极型晶体管和控制所述绝缘栅双极型晶体管的电路的半导体装置，其具备：第一元件部，其配置有所述绝缘栅双极型晶体管；第二元件部，其配置有所述电路；第二导电型漂移区，其设置于第一导电型的所述半导体基板的正面上；第一导电型区，其设置于所述第二导电型漂移区的与所述半导体基板侧相反一侧的表面层；和绝缘体层，其在深度方向上贯通所述第一导电型区而到达所述第二导电型漂移区，其中，所述绝缘体层设置于所述第一元件部和所述第二元件部之间的边界，所述第一导电型区通过所述绝缘体层被分离为所述第一元件部侧的所述绝缘栅双极型晶体管的发射电位的第一个第一导电型区和所述第二...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，
是在同一半导体基板具备绝缘栅双极型晶体管和控制所述绝缘栅双极型
晶体管的电路的半导体装置，其具备：
第一元件部，其配置有所述绝缘栅双极型晶体管；
第二元件部，其配置有所述电路；
第二导电型漂移区，其设置于第一导电型的所述半导体基板的正面上；
第一导电型区，其设置于所述第二导电型漂移区的与所述半导体基板侧
相反一侧的表面层；和
绝缘体层，其在深度方向上贯通所述第一导电型区而到达所述第二导电
型漂移区，
其中，所述绝缘体层设置于所述第一元件部和所述第二元件部之间的边
界，
所述第一导电型区通过所述绝缘体层被分离为所述第一元件部侧的所述
绝缘栅双极型晶体管的发射电位的第一个第一导电型区和所述第二元件部侧
的第二个第一导电型区。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二个第一导电型区与构成所述电路的绝缘栅型半导体元件的基区
接触。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二个第一导电型区包围所述绝缘栅型半导体元件的周围。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
第一接触电极，其与所述第二个第一导电型区接触，
其中，所述第一接触电极与所述绝缘栅双极型晶体管的发射电极电连接。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
所述绝缘栅双极型晶体管的发射电位的第二接触电极，其以包围所述第
一元件部以及所述第二元件部的方式设置在所述半导体基板的外周部侧。
6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井宪一，中村浩，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP