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文档序号:12388568
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配置有IGBT的IGBT部(10)和配置有控制电路的电路部(20)被配置于同一半导体芯片上。在电路部(20),在与IGBT部(10)的边界配置有电介质分离区(40)。在半导体芯片的正面侧的表面层,从IGBT部(10)到电路部(20)的范围内...
该专利属于富士电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过富士电机株式会社授权不得商用。
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