【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，更具体涉及一种具有多层结构的。
技术介绍
近年来，随着半导体产业的发展和使用者的需求，对电子设备的高集成化及高性能化的要求变得更高，由此也对电子设备核心部件一半导体元件要求高集成化及高性能化。但在为满足半导体元件高集成化的微细结构的实现上有一定困难。例如，为实现微细结构需要具有更高分辨率的半导体制造装铬，但实际上因费用过多而不具有经济性，或无法满足市场需求。而且，随着半导体元件的细微化也面临着物理性的限制。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的技术课题在于解决上述现有技术问题，其目的在于提供一种高集成化的。尤其是，提供一种为实现高集成化而具有多层结构的。可以通过下述具体说明和附图使本专利技术的其他目的更加明确。解决课题的方法本专利技术一实施例的包括如下步骤:在化学气相沉积装铬的腔内部装载基板的步骤；形成多层结构的步骤，通过交替重复在所述基板上形成掺杂非晶硅层的步骤和在所述基板上形成含硅绝缘层的步骤来交替层叠多个所述掺杂非晶硅层和多个所述绝缘层，其中在所述基板上形成掺杂非晶硅层的步骤是通过向装载有所述基板的腔内部注入硅前体和导电型掺杂剂来...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.06 KR 10-2010-00869641.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤: 在化学气相沉积装铬的腔内部装载基板的步骤； 形成多层结构的步骤，通过交替重复在所述基板上形成掺杂非晶硅层的步骤和在所述基板上形成含硅绝缘层的步骤来交替层叠多个所述掺杂非晶硅层和多个所述绝缘层，其中在所述基板上形成掺杂非晶硅层的步骤是通过向装载有所述基板的腔内部注入硅前体和导电型掺杂剂来进行的，而在所述基板上形成含硅绝缘层的步骤是通过向装载有所述基板的腔内部注入硅前体和反应气体来进行的。2.权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述化学气相沉积设备为低压化学气相沉积装铬。3.权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，将所述基板的温度稳定地维持而实行所述形成掺杂非晶硅层的步骤和所述形成绝缘层的步骤。4.权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，将所述基板的温度维持在500°C至650°C而实行所述形成掺杂非晶硅层的步骤和所述形成绝缘层的步骤。5.权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，将所述腔内部的压力稳定地维持而实行所述形成掺杂非晶硅层的步骤和所述形成绝缘层的步骤。6.权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：金海元，禹相浩，赵星吉，张吉淳，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：
国别省市：
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