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本发明提出一种具有多层结构的半导体元件的制造方法。根据本发明的一实施例的半导体元件的制造方法包含如下步骤：在化学气相沉积装臵的腔内部装载基板的步骤；形成多层结构的步骤，通过交替重复在基板上形成掺杂非晶硅层的步骤和在基板上形成含硅绝缘层的步骤...
该专利属于株式会社EUGENE科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社EUGENE科技授权不得商用。

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