【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具备具有不同于基板的热膨胀系数的多个半导体层叠结构的。
技术介绍
具有VA族元素氮(N)的氮化物半导体，由于其能带隙(Band gap)的大小，有望成为短波长发光元件的材料。其中，氮化氮化镓类化合物半导体(GaN类半导体)的研究盛行，蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、以及以GaN类半导体为材料的半导体激光器也在实用化(例如，参照专利文献1、2)。GaN类半导体具有纤锌矿型晶体结构。附图说明图1示意性地表示GaN单元晶格。在AlxGayInzN (x + y + z = l、x彡0、y彡0、z彡O)半导体的晶体中，图1所示的Ga的一部分可以被Al和/或In取代。图2表示为了以4指数(六方晶指数)表征纤锌矿型晶体结构的面而通常使用的4个基本向量a1、a2、a3、c。基本向量c沿方向延伸，该方向被称为“c轴”。与c轴垂直的面(plane :平面)称为“c面”或“(0001)面”。其中，“c轴”和“c面”也有时分别记为“C轴”和 “C面”。如图3A 图3D所示，纤锌矿型晶体结构除了 c面以外，存在着代表性的结晶面方位。图3A表示(0001)面、图3B表示(10 — 10)面，图3C表示(11 一 20)面，图3D表示(10 - 12)面。在此，在表示密勒指数的括号内的数字左边标注的“一”表示“横杠(bar)”。(0001)面、(10 — 10)面、(11 — 20)面和(10 — 12)面分别为c面、m面、a面和r面。m面和a面是与c轴(基本向量c)平行的“非极性面”，r面是“半极性面”。很久以来，利用GaN类半导体的发光元件和电子元件是通过“...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.04.20 JP 2011-0937361.一种半导体层叠基板，其特征在于，包括 基板；和 多个半导体层，所述半导体层具有与所述基板不同的热膨胀系数，形成于所述基板的上表面的多个区域， 各所述区域的半导体层具有作为非极性面或半极性面的生长面，沿着与所述基板的上表面平行、且相互垂直的第一轴和第二轴具有不同的热膨胀系数，将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与所述第一轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为Dl和P 1，将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与所述第二轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为D2和0 2时，01、91、02和P 2满足下述式I，2.—种半导体层叠基板，其特征在于，包括 基板；和 在所述基板的上表面的多个区域形成的多个半导体层， 各所述区域的半导体层具有作为非极性面或半极性面的生长面，沿着与所述基板的上表面平行、且相互垂直的第一轴和第二轴，与所述基板之间产生的应力不同，将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与所述第一轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为Dl和P 1，将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与所述第二轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为D2和0 2时，01、91、02和P 2满足下述式I，3.如权利要求2所述的半导体层叠基板，其特征在于 所述应力包括变形应力。4.如权利要求1 3中任一项所述的半导体层叠基板，其特征在于 所述Dl与所述D2不同,所述P I与P 2不同。5.如权利要求1 4中任一项所述的半导体层叠基板,其特征在于 所述Dl与D2之比Dl / D2基于下述式3规定，6.如权利要求1 5中任一项所述的半导体层叠基板,其特征在于 基于式4，所述Dl由所述P I和所述半导体层的最大弯曲量Hmax规定，7.如权利要求1 6中任一项所述的半导体层叠基板,其特征在于 基于式5，所述D2由所述P 2和所述半导体层的最大弯曲量Hmax规定，式 5/.)2 咖28.如权利要求6或7所述的半导体层叠基板，其特征在于 所述半导体层的中心具有所述最大弯曲量Hmax。9.如权利要求1 8中任一项所述的半导体层叠基板，其特征在于 所述基板是蓝宝石基板。10.如权利要求1 9中任一项所述的半导体层叠基板，其特征在于 所述基板的上表面为m面，所述第一为a轴，所述第二轴为c轴。11.如权利要求1 10中任一项所述的半导体层叠基板，其特征在于 所述基板的上表面为a面，所述第一轴为a轴，所述第二轴为c轴。12.如权利要求1 11中任一项所述的半导体层叠基板，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：岩永顺子，崔成伯，横川俊哉，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：
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