用于多晶硅炉管工艺的挡片及其制备方法技术

本发明专利技术提供用于多晶硅炉管工艺的挡片，所述挡片从下到上依次为半导体硅层、二氧化硅层和氮化硅层；所述二氧化硅层的厚度为10~100纳米，氮化硅层的厚度为20~200纳米。本发明专利技术提供的挡片采用在硅衬底基片上生长二氧化硅后再次淀积氮化硅所形成的特殊结构的挡片，解决传统多晶硅炉管挡片由于淀积硅衬底基片上氮化硅与硅衬底基片的热膨胀系数不同产生的应力会导致挡片变形和边缘破损，对产品硅片的颗粒会有影响，改善之后消除氮化硅与硅衬底基片的应力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种在半导体制造领域多晶硅炉管工艺中用作挡片。
技术介绍
在当前半导体制造工艺中，炉管工艺使用挡片对炉管内的气流进行阻挡分层并均衡炉管内温度分布，使气流中的反应气体与被加工硅片均匀接触、均匀受热，发生化学物理反应，淀积或生长薄膜。其中，使用低压化学气相淀积的炉管进行多晶硅的淀积工艺，要用到的挡片为硅/氮化硅结构即在硅衬底基片上淀积一层50到200纳米的氮化硅。使用这种结构可以使得挡片在回收使用时保护硅衬底基片不被酸性溶液腐蚀，延长挡片使用寿命。但是，由于氮化硅薄膜和硅衬底基片的热膨胀系数不同导致应力的产生，对于硅基底基片中间部位接触面比较大，大部分的应力会释放，但是对于硅衬底边缘部分，应力会导致硅基底边缘受损，受损部分会在和产品硅片一块作业的时候会带来一定量的颗粒，影响了广品娃片的良率。
技术实现思路
针对现有技术中存在不足之处，本专利技术提供一种结构新颖的挡片，该挡片在生产中避免出现变形和边缘破损，消除氮化硅与硅衬底基片的应力。为了实现上述目的，本专利技术提供一种用于多晶硅炉管工艺的挡片，所述挡片从下到上依次为半导体硅层、二氧化硅层和氮化硅层；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于多晶硅炉管工艺的挡片，其特征在于，所述挡片从下到上依次为半导体硅层、二氧化硅层和氮化硅层；所述二氧化硅层的厚度为10~100纳米，氮化硅层的厚度为20~200纳米。

【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅炉管工艺的挡片，其特征在于，所述挡片从下到上依次为半导体硅层、二氧化娃层和氮化娃层；所述二氧化硅层的厚度为1(Γ100纳米，氮化硅层的厚度为2(Γ200纳米。2.一种制备上述挡片的方法，其特征在于，包括如下步骤步骤1、在作为挡片的硅衬底基片上淀积一二氧化硅层；步骤2、在形成的二氧化硅层上再淀积一氮化硅层；形成的所述二氧化硅层的厚度为1(Γ100纳米、所述氮化硅层的厚度为2(Γ200纳米。3.根据要求2所述的方法，其特征在于，所述挡片淀积采用低压化学气相淀积。4.根据要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤I包括在LPCVD炉管中，将温度升至 75(T800°C、压力降至O. 3...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁鹏，王智，张旭昇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：