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本发明提供用于多晶硅炉管工艺的挡片，所述挡片从下到上依次为半导体硅层、二氧化硅层和氮化硅层；所述二氧化硅层的厚度为10~100纳米，氮化硅层的厚度为20~200纳米。本发明提供的挡片采用在硅衬底基片上生长二氧化硅后再次淀积氮化硅所形成的特殊...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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