适用于超级结器件的外延片制作方法技术

本发明专利技术公开了一种适用于超级结器件的外延片制作方法，包括步骤：提供一掺杂硅片；对硅片进行去边处理；将硅片放置到外延设备中，在第一温度值的条件下调节热场参数，使形成的外延薄膜的电阻率分布平坦化；将外延设备的工艺温度设定为比所述第一温度值大30℃的第二温度值，热场参数不变，进行外延生长。本发明专利技术能使外延片的电阻率呈同心圆分布，从而能提高采用沟槽填充工艺的超级结器件的击穿电压的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种适用于超级结(super-junction)器件的外延片制作方法。
技术介绍
如图1所示，是现有超级结器件的P型和N型薄层的剖面示意图；该现有超级结器件采用沟槽填充技术，其P型和N型薄层的结构包括N型外延层101 ;在该N型外延层101上形成有沟槽，在沟槽中填充有P型外延层102，P型外延层102采用外延设备进行外延生长得到，由P型外延层102和位于各相邻的P型外延层102之间的N型外延层101薄层组成超级结器件的P型和N型薄层。对于填充于沟槽中的P型外延层102，由于外延工艺设备及工艺方式的限制，P型外延层102电阻率的分布呈中心高、边缘低的结构特征。对于N型外延层101，该N型外延层101通过在硅片上直接外延生长形成的，该N型外延层的电阻率并不呈中心高、边缘低分布特征，而是呈经线分布。如图2所示，是现有适用于超级结器件的外延片 的电阻率分布示意图；电阻率的经线分布即为和某一根直径104平行的一系列线103、105的分布，且由箭头线A1A2所示，由线103 —侧到线105 —侧的方向上电阻率逐渐递增或递减。现有超级结器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于超级结器件的外延片制作方法，其特征在于，包括步骤：步骤一、提供一硅片，所述硅片的掺杂类型和后续要形成的外延层的掺杂类型相同，所述硅片的掺杂浓度大于后续要形成的所述外延层的掺杂浓度；步骤二、对所述硅片背面的热氧化层进行去边处理，该去边处理用于去除所述硅片边缘处的热氧化层，所述去边处理的去边量为2毫米；步骤三、将所述硅片放置到外延设备中，将所述外延设备的工艺温度设定在第一温度值，在所述第一温度值的条件下调节热场参数，使所述外延设备形成的热场能够满足在所述第一温度值下形成的外延薄膜电阻率分布均匀；步骤四、将所述外延设备的工艺温度设定为第二温度值，该第二温度值比所述第一温度值大30℃，所述热...

【技术特征摘要】
1.一种适用于超级结器件的外延片制作方法，其特征在于，包括步骤 步骤一、提供一硅片，所述硅片的掺杂类型和后续要形成的外延层的掺杂类型相同，所述硅片的掺杂浓度大于后续要形成的所述外延层的掺杂浓度； 步骤二、对所述硅片背面的热氧化层进行去边处理，该去边处理用于去除所述硅片边缘处的热氧化层，所述去边处理的去边量为2毫米； 步骤三、将所述硅片放置到外延设备中，将所述外延设备的工艺温度设定在第一温度值，在所述第一温度值的条件下调节热场参数，使所述外延设备形成的热场能够满足在所述第一温度值下形成的外延薄膜电阻率分布均匀； 步骤四、将所述外延设备的工艺温度设定为第二温度值，该第二温度值比所述第一温度值大30°C，所述热场参数不变；进行外延生长，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洪伟，董颖，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：