外延片及超结功率器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种外延片，其特征在于，包括衬底和电阻率呈同心圆状分布的第一外延层。本实用新型专利技术中的外延片，电阻率呈同心圆状分布。在沟槽蚀刻并填充外延材料后，电荷分布均匀，不会产生电性失效的问题。使用本实用新型专利技术中的外延片，可以提高超结功率器件的崩溃电压。采用本实用新型专利技术中的外延片，可将超结功率器件的崩溃电压提高50伏特以上。采用非同心圆状分布的外延片生产的超结功率器件的崩溃电压为580伏特；采用本实用新型专利技术中的外延片生产的超结功率器件崩溃电压可增加到630伏特。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种外延片及超结功率器件。
技术介绍
超结功率器件与传统的功率器件相比，拥有较高的崩溃电压与较低的导通电阻。对于超结功率器件来说，在相同的導通電阻下，崩溃电压越高越好。如图1所示，其中一种超结功率器件所使用的外延片结构示意图，其包括衬底1，衬底I上具有N型的第一外延层2。N型的第一外延层2开有沟槽(图中未示出)，第二外延层4覆盖在第一外延层2表面，第二外延层4嵌入第一外延层2的沟槽内。超结功率器件主要的挑战之一即为电荷的均匀分布。超结功率器件的工艺中需要在第一外延层2蚀刻出沟槽，并在所蚀刻的沟槽内嵌入第 二外延层4。且第一外延层2与第二外延层4材料不同。第一外延层2为N型，则第二外延层4为P型；第一外延层2为P型，则第二外延层4为N型。但因为第一外延层2上蚀刻的沟槽会有中间窄、边缘宽的分布，即靠近圆心的沟槽窄，靠近边缘的沟槽宽。因此如果使用电阻率自外延片边缘沿径向分布的第一外延层，会导致外围一圈电性失效，导致超结功率器件崩溃电压偏低，无法达到使用要求。
技术实现思路
本技术的目的之一是为了克服现有技术中的不足，提供一种适合用于超结功率器件的外延片。为实现以上目的，本技术通过以下技本文档来自技高网...

【技术保护点】
外延片，其特征在于，包括衬底和电阻率呈同心圆状分布的第一外延层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林志鑫，钟旻远，姚桢，
申请(专利权)人：上海晶盟硅材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：