【技术实现步骤摘要】
一种高耐压肖特基芯片，属于半导体器件制造
具体涉及一种高耐压Schottky N通道肖特基芯片。
技术介绍
传统肖特基芯片，多晶硅外部的沟槽氧化硅层的厚度一致，如图2所示，在沟槽底部弯角的地方容易发生电力击穿，所以肖特基芯片反向耐压较低，不能满足高耐压或降低正向压降的要求。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种可以提高肖特基芯 片反向耐压或降低正向压降的高耐压肖特基芯片。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是该一种高耐压肖特基芯片，包括顶部金属层、顶部金属层下方的肖特基界面、紧靠肖特基界面下方的多晶硅、多晶硅外的氧化娃层、下部的N型外延层N-EPI和N型基片Ν+Substrate,其特征在于多晶娃外的氧化娃层的底部氧化硅层厚度大于边部氧化硅层厚度。所述的底部氧化硅层厚度为边部氧化硅层厚度的2-5倍。与现有技术相比，本专利技术的一种高耐压肖特基芯片所具有的有益效果是本专利技术的沟槽氧化硅层底部厚度较现有技术沟槽氧化硅层底部厚度厚，因而在沟槽底部弯角地方电场的反向电压得到疏解所以产品反向耐压可以提高15-30%;或可以保持原...
【技术保护点】
一种高耐压肖特基芯片，包括顶部金属层（1）、顶部金属层（1）下方的肖特基界面（4）、紧靠肖特基界面（4）下方的多晶硅（2）、多晶硅外的氧化硅层、下部的N型外延层N?EPI（5）和N型基片N+?Substrate（6），其特征在于：多晶硅（2）外的氧化硅层的底部氧化硅层（7）厚度大于边部氧化硅层（3）厚度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：关仕汉，吕新立，
申请(专利权)人：淄博美林电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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