FINFET热保护方法及其相关结构技术

本发明专利技术提供了用于防止高迁移率材料暴露给高温工艺的方法和结构，该方法包括提供具有从其延伸的至少一个鳍的衬底。该至少一个鳍包括伪沟道和源极/漏极区。在伪沟道上方形成伪栅叠件。在包括鳍的衬底上形成第一层间介电(ILD)层。平坦化第一ILD层以暴露伪栅叠件。在平坦化第一ILD层之后，去除伪栅叠件和伪沟道以形成凹槽，以及在凹槽中形成高迁移率材料沟道区。在形成高迁移率材料沟道区之后，在源极/漏极区上面的第二ILD层内形成接触开口，并且在源极/漏极区上方形成低肖特基势垒高度(SBH)材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体设及半导体领域，更具体地，设及FIN阳T的制造方法。
技术介绍
电子行业已经对能够同时支持更大量的越来越复杂和精细的功能的更小和更快 的电子器件的要求不断增加。因此，在半导体工业中存在不断制造低成本、高性能和低功率 的集成电路（IC)的趋势。目前，通过按比例缩小半导体IC尺寸（例如，最小部件尺寸），从 而提高了生产效率和降低了相关成本，已在很大程度上实现了运些目标。然而，运种缩小也 增加了半导体制造工艺的复杂度。因此，半导体IC和器件的持续进步同样需要半导体制造 工艺和技术的进步。 近来，为了通过增大栅极沟道禪合来改进栅极控制、减小断态电流W及降低短沟 道效应（SCE)，已经引入多栅极器件。已经引入的一种运样的多栅极器件是罐式场效应晶体 管（FinFET)。FinFET的名字源于从衬底延伸的罐状结构，罐状结构形成在衬底上并且用于 形成FET沟道。FinFET与传统的互补金属氧化物半导体（CM0巧工艺兼容，并且它们的S 维结构允许保持栅极控制并降低SCE的同时FINFET被大幅缩小。此外，正在研究高迁移率 材料。然而，现有的半导体工艺流程在整个工艺流程的各个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，所述衬底包括从所述衬底延伸的鳍；在所述鳍中形成源极区和漏极区；以及在所述鳍中形成所述源极区和所述漏极区之后，在所述鳍的沟道区中或所述源极区和所述漏极区上形成迁移率大于硅的第一材料。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄玉莲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71