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本发明提供了用于防止高迁移率材料暴露给高温工艺的方法和结构，该方法包括提供具有从其延伸的至少一个鳍的衬底。该至少一个鳍包括伪沟道和源极/漏极区。在伪沟道上方形成伪栅叠件。在包括鳍的衬底上形成第一层间介电(ILD)层。平坦化第一ILD层以暴露...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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