氮化物半导体基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化物半导体基板，包括：外延基板、图案化的氮化物半导体柱层、氮化物半导体层以及掩模层。上述图案化的氮化物半导体柱层，形成于该外延基板上，上述氮化物半导体层，形成于该氮化物半导体柱层上。掩模层则覆盖在该氮化物半导体柱层与该外延基板的表面。上述氮化物半导体柱层包括：多个图案化排列的第一空洞结构以及多个图案化排列的第二空洞结构，位于图案化排列的该多个第一空洞结构之间，其中该多个第二空洞结构为纳米尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
近年来发光二极管(LED)和激光(LD)广泛的被应用在市场上，例如以氮化镓(GaN)制成的蓝光与黄色荧光粉组合可以获得白光，不只是在亮度上或用电量方面皆比之前的传统灯泡光源亮且省电，可以大幅降低用电量。此外，发光二极管的寿命约在数万小时以上，寿命比传统灯泡长。在氮化镓半导体发光元件的制造过程中，由于氮化镓半导体层与外延基板之间的晶格常数与热膨胀系数的差异，容易造成氮化镓半导体于外延过程中产生穿透位错与热应力，因而影响发光元件的发光效率。已知在分离氮化镓半导体层与外延基板的方法包括利用光照法，使激光光穿透基板照射基板与氮化镓半导体层之间的界面，来达到分离氮化镓半导体层与外延基板的目的。另外，也可以利用湿式蚀刻法直接移除基板与氮化镓半导体层之间的阻障结构(barrier structure)来达到弱化氮化镓半导体层与外延基板之间的连结结构,进而分离氮化镓半导体层与外延基板。除此之外，还可以利用于高温下进行气相蚀刻直接移除氮化镓半导体层与外延基板之间的界面层，达到分离氮化镓半导体层与外延基板的目的。例如美国专利US 6，582，986就披露了一种利用悬空外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体基板，其特征在于：该氮化物半导体基板包括：外延基板；图案化的氮化物半导体柱层，形成于该外延基板上；氮化物半导体层，形成于该氮化物半导体柱层上；以及掩模层，覆盖在该氮化物半导体柱层与该外延基板的表面，其中该氮化物半导体柱层包括：多个图案化排列的第一空洞结构；以及多个图案化排列的第二空洞结构，位于图案化排列的该多个第一空洞结构之间，其中该多个第二空洞结构为纳米尺寸。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭义德，林素芳，郭威宏，刘柏均，纪东炜，赵主立，蔡政达，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：