电容器和制造电容器的方法技术

一种器件，包括衬底，具有至少一个有源区；绝缘层，位于衬底上方；以及电极，位于绝缘层上方的栅电极层中，该衬底、绝缘层、以及电极形成金属氧化物半导体(MOS)电容器。第一接触层设置在电极上方，该第一接触层具有延长的第一图案，该延长的第一图案在与电极平行的第一方向上延伸。接触结构与衬底接触。接触结构具有延长的第二图案，该延长的第二图案与第一图案平行地延伸。介电材料形成在第一图案和第二图案之间，从而使得第一图案和第二图案和介电材料形成侧壁电容器，该侧壁电容器与MOS电容器并联。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体制造，更具体地来说，涉及电容器的形成。
技术介绍
常常作为互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的一部分形成金属氧化物半导体(MOS)电容器。在CMOS工艺中，晶体管通常通过将具有掺杂源极/漏极区域的有源区设置在衬底中、将栅极绝缘层设置在衬底上方、和将栅电极设置在栅极绝缘层上方来形成。接触件(例如，钨)通过导电互连结构连接源极/漏极区和栅电极，该导电互连结构具有几个水平导电图案层(通常称作Ml、M2等)和形成在多个金属间介电(MD)层中的垂直通孔层。为了将MOS电容器制造集成在相同的工艺中，将MOS电容器的顶部电极形成为栅 极介电层的一部分。电容器介电层形成为栅极绝缘层的一部分。电容器的阳极接触件形成在电容器的顶部电极上方。阴极接触件连接至源极/漏极和块状衬底。当晶体管尺寸(包括栅极绝缘层的厚度)缩小时，泄露成为问题，并且栅极绝缘层更容易击穿。为了预先减少泄露，晶体管越小，考虑高k金属栅极结构。通过高k介电材料的相对较厚层替换传统的二氧化硅栅极绝缘层，例如，该高k介电材料为硅酸铪、硅酸锆、二氧化铪、或二氧化锆。通过金属替换多晶硅栅电极材料，例如，氮化钛、氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，包括：衬底，具有：至少一个有源区、位于所述衬底上方的绝缘层、以及位于所述绝缘层上方的栅电极层中的电极，形成金属氧化物半导体MOS电容器；第一接触层，位于所述电极上方，具有延长的第一图案，在与所述电极平行的第一方向上延伸；接触结构，与所述衬底接触，所述接触结构具有延长的第二图案，与所述第一图案平行地延伸；以及介电材料，位于所述第一图案和所述第二图案之间，使得所述第一图案和所述第二图案以及所述介电材料形成第一侧壁电容器，所述第一侧壁电容器与所述MOS电容器并联。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：安启玓，陈建宏，詹玉娟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：