【技术实现步骤摘要】
本技术的实施例涉及半导体器件，具体涉及功率半导体器件。
技术介绍
功率半导体器件(如功率MOS (金属氧化物半导体)晶体管或功率二极管)包括漂移区以及在MOS晶体管中处于漂移区与体区(body region)之间且在二极管中处于漂移区与发射极区之间的pn结。漂移区的掺杂浓度低于体区和发射极区的掺杂浓度，使得当器件阻断时(其为在pn结反向偏置时)，耗尽区(空间电荷区)主要在漂移区中扩张。漂移区沿器件的电流流动方向的尺寸以及漂移区的掺杂浓度主要限定了半导体器件的电压阻断能力。在单极器件(如功率MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管))中，漂移区的掺杂浓度还限定了器件的导通电阻，其为处于导通状态的半导体器件的电阻。 当pn结反向偏置时，在pn结的两侧均电离掺杂剂原子，得到与电场相关联的空间电荷区。电场的场强幅度的积分与对pn结反向偏置的电压相对应,其中电场的最大值处于pn结处。当电场的最大值达到与用于实现漂移区的半导体材料的类型相关的临界场强时，发生雪崩击穿。当在漂移区中提供以下电荷时可以提高漂移区的掺杂浓度而不减弱器件的电压阻断能力所述电荷可以充当在Pn结反向...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一掺杂类型的漂移区；所述漂移区与器件区之间的结；以及所述漂移区中的至少一个场电极结构，所述至少一个场电极结构包括：场电极；场电极电介质，与所述场电极邻接并布置在所述场电极与所述漂移区之间，并且具有开口；以及场终止区，具有所述第一掺杂类型并且比所述漂移区更重掺杂，所述场终止区通过所述场电极电介质的开口将所述场电极连接至所述漂移区。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：S加梅里特，F希尔勒，H韦伯，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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