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本实用新型涉及具有自充电场电极的半导体器件。公开了一种半导体器件，其包括第一掺杂类型的漂移区、所述漂移区与器件区之间的结、以及所述漂移区中的至少一个场电极结构。所述场电极结构包括：场电极；场电极电介质，与所述场电极邻接并布置在所述场电极与所...
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