氮化物半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
氮化物半导体装置及其制造方法
本专利技术是关于一种具有与氮化物半导体层相接的场极板的氮化物半导体装置及其制造方法。
技术介绍
在具有AlGaN/GaN异质接面（heterojunction）的横向型场效应晶体管（Field-EffectTransistor,FET）等中，在关闭动作时对源极与漏极之间施加有高电压的情况下，在栅极的漏极侧的端部（以下，称为“漏极侧端部”）产生强电场。由于依赖于该电场而从漏极向栅极流动电流，故而为了抑制关闭动作时的漏电量，理想状态是希望能缓和栅极的漏极侧端部的电场。例如，提出有在栅极与漏极之间，在层间绝缘膜上形成场极板的技术（例如，参照专利文献1）。专利文献1：（日本）特开2008－277604号公报在氮化物半导体层上形成电极的情况下，将形成于氮化物半导体层上的绝缘膜即保护膜蚀刻而形成开口部。在该开口部以电极与氮化物半导体层相接的方式在保护膜上形成电极。在形成保护膜的开口部时，为了避免氮化物半导体层受到的损坏，采用有“湿蚀刻”工艺或“干蚀刻＋湿蚀刻”工艺。此时，依湿蚀刻的工艺准确性及层间绝缘膜与光致抗蚀剂膜的紧密贴合性而异，层间绝缘膜的...
【技术保护点】
一种氮化物半导体装置，包含：一氮化物半导体层；一第一绝缘膜，设置在该氮化物半导体层上；一第二绝缘膜，设置在该第一绝缘膜上；一第一主电极及一第二主电极，相互分开地设置在该氮化物半导体层上；以及一场极板，设置在该第一主电极与该第二主电极之间的该第二绝缘膜上，并经由设于该第一绝缘膜及该第二绝缘膜中的一开口部与该氮化物半导体层连接，其中在该开口部中，该氮化物半导体层的表面与该第一绝缘膜的侧面构成的一第一倾斜角比该氮化物半导体层的表面与将该第二绝缘膜的侧面延长的延长线构成的一第二倾斜角小。
【技术特征摘要】
2011.07.21 JP 2011-1599381.一种氮化物半导体装置的制造方法，用于制造在主面上具有一第一主电极及一第二主电极的氮化物半导体装置，其中该制造步骤包含：在一氮化物半导体层上形成一第一绝缘膜；在该第一绝缘膜上形成一第二绝缘膜；利用非等向性蚀刻，将该第二绝缘膜在厚度方向上选择地蚀刻除去，以使该第二绝缘膜的一部分还残留在该第一绝缘膜上，然后利用等向性蚀刻，将该第二绝缘膜的剩余部分以及该第一绝缘膜除去，直至该氮化物半导体层的一部分表面露出，以该氮化物半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：马场良平，金子信男，金子修一，施欣宏，吴俊森，罗亿丞，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，三垦电气株式会社，
类型：发明
国别省市：
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