LDMOS晶体管结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种LDMOS晶体管的结构及其制造方法，所述LDMOS晶体管包括半导体衬底、栅极区、体区、漂移区、源区和基区，设置于所述漂移区中的漏区和第一浅沟槽隔离区；所述漏区包括漏掺杂区和漏引出区，所述漏掺杂区包围所述漏引出区，所述漏掺杂区部分位于第一浅沟槽隔离区中，所述漏引出区全部或部分位于所述第一浅沟槽隔离区中。本发明专利技术所述LDMOS晶体管的漏区与第一浅沟槽隔离结构部分重合，保证漏区正常工作的同时缩小了漏区占用的面积，进而缩小的LDMOS晶体管的器件尺寸，提高了单个晶圆上器件的产量，同时缩小的芯片面积能够缩小给定封装的最大有效功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种LDMOS晶体管结构及其制造方法。
技术介绍
随着科技的发展，电子产品的种类日益增多，电子产品的集成电路的集成程度也越来越高。B⑶(Bipolar CMOS DM0S)工艺是是实现智能功率集成电路(Smart Power IC)的一项重要工艺，其特点是可同时将互补性金属氧化物晶体管(CMOS)、双极型(Bipolar)晶体管以及横向扩散金属氧化物晶体管(LDMOS)等功率器件集成在一起，以便将控制、模拟和功率等各种功能系统集成在同一芯片上。在电力电子领域中，作为BCD工艺中的功率器·件，LDMOS晶体管往往需要承受高压，甚至需要承受上千伏的超高压。其中，LDMOS晶体管常用在高压功率集成电路中，用以实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。LDMOS晶体管与其他晶体管相比，在关键的器件特性方面，如增益、线性度、开关性能、散热性能以及减少级数等方面优势很明显。图I为现有技术中LDMOS晶体管的结构示意图，如图I所示，现有技术中LDMOS晶体管包括半导体衬底100，设置于半导体衬底100中的体区103和漂移区101，设置于半导体衬底10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；设置于所述半导体衬底上的栅极区；设置于所述栅极区两侧的半导体衬底中的体区和漂移区；设置于所述体区中的源区和基区；以及设置于所述漂移区中的漏区和第一浅沟槽隔离区；其中，所述漏区包括漏掺杂区和漏引出区，所述漏掺杂区包围所述漏引出区，所述漏掺杂区部分位于所述第一浅沟槽隔离区中，所述漏引出区全部或部分位于所述第一浅沟槽隔离区中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹国豪，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：