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本发明提供一种LDMOS晶体管的结构及其制造方法，所述LDMOS晶体管包括半导体衬底、栅极区、体区、漂移区、源区和基区，设置于所述漂移区中的漏区和第一浅沟槽隔离区；所述漏区包括漏掺杂区和漏引出区，所述漏掺杂区包围所述漏引出区，所述漏掺杂区部...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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