MOS晶体管的结构及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种MOS晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层表面的栅电极层；位于所述栅绝缘层和栅电极层两侧、且位于所述半导体衬底表面的侧墙；及位于所述栅绝缘层和栅电极层两侧、且位于所述半导体衬底内的源/漏极；位于所述栅绝缘层底部的半导体衬底内的掺杂层。相应的，本发明专利技术的实施例还提供了上述MOS晶体管的形成方法，本发明专利技术实施例的MOS晶体管载流子的迁移率高，栅极稳定性好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种MOS晶体管的结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更高的运算速度、更大的数据存储量、以及更多的功能，半导体器件朝向更高的元件密度、更高的集成度方向发展。请参考图I,现有技术中MOS晶体管,包括半导体衬底100 ;位于所述半导体衬底100内的浅沟槽隔离结构103 ；位于所述半导体衬底100表面的栅绝缘层107 ;及位于所述栅绝缘层107表面的栅电极层109 ;位于所述栅绝缘层107和栅电极层109两侧、且位于所述半导体衬底100表面的侧墙111 ;位于所述栅绝缘层107和栅电极层109两侧、且位于所述半导体衬底100内的源极106和漏极105 ；随着MOS晶体管朝着更高的集成度方向发展，MOS晶体管的栅极长度逐渐减小，即图I中栅绝缘层107和栅电极层109沿半导体衬底100表面方向的尺寸逐渐变小，现有技术的MOS晶体管的沟道区的载流子的迁移率较低。更多的关于MOS晶体管的形成方法及结构请参考美国专利“US20080043588”的专利申请文件。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种增加沟道区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅绝缘层、位于所述栅绝缘层表面的伪栅电极层、位于所述栅绝缘层和伪栅电极层两侧的半导体衬底表面的侧墙、及位于所述栅绝缘层和伪栅电极层两侧的半导体衬底内的源/漏极；其特征在于，还包括：形成覆盖所述半导体衬底和所述侧墙的介质层，所述介质层与所述伪栅电极层的表面齐平；去除所述伪栅电极层，形成暴露出所述栅绝缘层的开口；在所述开口正下方的半导体衬底内形成掺杂层；在所述开口内形成位于所述栅绝缘层表面的栅电极层；去除所述介质层，暴露出所述半导体衬底和侧墙。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：