【技术实现步骤摘要】
一种基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器
本技术涉及场效应晶体管射频功率放大器和集成电路领域,特别是针对超宽带收发机末端的发射模块应用的一种基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器。
技术介绍
随着超宽带通信、软件无线电、无线局域网(WLAN)等无线通信市场的快速发展,射频前端收发器也要求随之向高集成、低功耗、结构紧凑、价格低廉的方向发展。射频与微波功率放大器作为发射机的重要模块,是整个发射机中耗能最多的电路,其输出功率要求比较高,当采用集成电路工艺设计实现射频与微波功率放大器芯片电路时,其性能和成本受到了一定制约,主要体现在以下几方面:(1)高功率高效率放大能力受限:随着半导体工艺的发展和晶体管尺寸等比例缩小的趋势,晶体管的栅长越来越短,导致了击穿电压的降低和膝点电压的升高,从而限制了晶体管漏极输出电压摆幅,进而限制了单一晶体管的功率容量。目前,典型的解决方案为将多个晶体管(8至32个)平行排列进行功率合成,以提高功率容限,但是,这种解决方案却因此增加了栅源电容,降低了输入阻抗,增大了输入电路的阻抗匹配的设计难度,同时,采用此结构的晶体管放大器的最佳输出负载阻抗非常小, ...
【技术保护点】
一种基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器,其特征在于,包括依次连接的输入匹配网络、功率分配网络、堆叠矩阵放大网络、功率合成网络和输出匹配网络,以及分别与所述堆叠矩阵放大网络对称连接的第一偏置电路和第二偏置电路。
【技术特征摘要】
1.一种基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器,其特征在于,包括依次连接的输入匹配网络、功率分配网络、堆叠矩阵放大网络、功率合成网络和输出匹配网络,以及分别与所述堆叠矩阵放大网络对称连接的第一偏置电路和第二偏置电路。2.根据权利要求1所述的基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器,其特征在于,所述堆叠矩阵放大网络包括至少两路并行的堆叠结构,所述堆叠结构至少由两个晶体管按照源极漏极相连堆叠构成;所述每路堆叠结构的最底层的晶体管的栅极连接两并联电阻后均分别连接到所述第一偏置电路的栅极旁路电容和所述第二偏置电路的栅极旁路电容,所述最底层晶体管的源极接地,且所述最底层晶体管的栅极通过所述功率分配网络连接到所述输入匹配网络;所述每路堆叠结构的其余层的晶体管的栅极通过电阻均分别连接到所述第一偏置电路的栅极分压电阻和第二偏置电路的栅极分压电阻,且所述其余层的晶体管的栅极分别连接两路由栅极补偿电阻与栅极补偿电容连接接地组成的补偿电路;所述每路堆叠结构的最上层的晶体管的漏极通过所述功率合成网络分别连接到所述输出匹配网络与所述第一偏置电路和所述第二偏置电路的漏极馈电电感。3.根据权利要求2所述的基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器,其特征在于,所述每路堆叠结构在相邻的栅极节点上的补偿电路通过栅极隔离电阻串接。4.根据权利要求2所述的基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡柳林,邬海峰,滑育楠,陈依军,廖学介,吕继平,童伟,叶珍,
申请(专利权)人:成都嘉纳海威科技有限责任公司,
类型:新型
国别省市:四川,51
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