一种低功耗小尺寸的上电复位电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种低功耗小尺寸的上电复位电路
本技术涉及一种上电复位电路，尤其涉及一种应用于低功耗小尺寸的上电复位电路，属于集成电路
技术介绍
随着CMOS片上集成系统(SOC)的不断发展，芯片的集成度不断提高，芯片的功能越来越强大，模拟集成电路和数字集成电路通常集成在同一块芯片上，并且采用统一的电源供电。在外部电源上电的过程中，由于电源电压还未达到稳定的状态，许多电路节点的电压和逻辑状态都处于不稳定状态，在这一时间段，电路很可能会产生不期望出现的错误，特别对于集成度比较高的数字电路，不定电平可能会产生雪崩式的错误，进而影响后期电路的运行。为了解决上述问题，上电复位电路(Power-OnReset，POR)应运而生。上电复位电路是在电源上电的过程中，检测电源电压，在电源电压达到正常的工作电压(一般被称为“起拉电压”)后，对数字电路进行初始化清零，以保证数字逻辑的正确性和数-模混合芯片的正常工作。图1所示为传统的积分型上电复位电路结构，当电源电压VDD从0开始上升时，电源开始通过RC电路给电容充电，当充电电压使得反相器由高电平翻转为低电平时，无延时通路将反相器翻转后A点...
【技术保护点】
一种低功耗小尺寸的上电复位电路，其特征在于，至少包括：电源延时模块(11)，连接于一外部电源，用于对所述的外部电源进行延时，并输出一延时电压；上升沿产生模块(12)，连接于所述电源延时模块(11)，用于对所述延时电压进行电压检测，并将检测后的电压进行反相，以产生上升沿的阶跃信号，此信号作为复位信号的下降沿准备信号；下降沿产生模块(13)，连接于所述电源延时模块(11)，用于对所述的延时电压进行第一次反相，然后对反相后的电压进行延时，为复位信号的延时作准备，再对延时后的电压进行第二次反相，以产生下降沿的阶跃信号，此信号作为复位信号的上升沿准备信号；复位脉冲产生模块(14)，连...
【技术特征摘要】
1.一种低功耗小尺寸的上电复位电路，其特征在于，至少包括：电源延时模块(11)，连接于一外部电源，用于对所述的外部电源进行延时，并输出一延时电压；上升沿产生模块(12)，连接于所述电源延时模块(11)，用于对所述延时电压进行电压检测，并将检测后的电压进行反相，以产生上升沿的阶跃信号，此信号作为复位信号的下降沿准备信号；下降沿产生模块(13)，连接于所述电源延时模块(11)，用于对所述的延时电压进行第一次反相，然后对反相后的电压进行延时，为复位信号的延时作准备，再对延时后的电压进行第二次反相，以产生下降沿的阶跃信号，此信号作为复位信号的上升沿准备信号；复位脉冲产生模块(14)，连接于所述的上升沿产生模块(12)和所述下降沿产生模块(13)，用于对接收到的上升沿阶跃信号和下降沿阶跃信号进行与非，利用与非门逻辑产生复位脉冲；脉冲整形模块(15)，连接于所述的复位脉冲产生模块(14)，用于对所述的复位脉冲进行放大和整形，并将放大和整形后的电压信号作为上电复位电路的输出信号。2.根据权利要求1所述的一种低功耗小尺寸的上电复位电路，其特征在于：所述电源电压延时模块(11)电路含有第一电容C1、第二电容C2、P型MOS管M1、P型MOS管M2和P型MOS管M3，第一电容C1的一端、P型MOS管M2的源极与电源相互连接；第一电容C1的另一端、P型MOS管M1的源极与P型MOS管M3的栅极相互连接；P型MOS管M1的漏极、第二电容C2的一端与地相互连接；P型MOS管M2的栅极、P型MOS管M2的漏极与P型MOS管M3的源极相互连接；P型MOS管M1的栅极、P型MOS管M3的漏极、第二电容C2的另一端与电源延时模块(11)的输出端相互连接。3.根据权利要求1所述的一种低功耗小尺寸的上电复位电路，其特征在于：所述的上升沿产生模块(12)含有第一两输入与非门NAND1构成电平检测电路，通过调整第一两输入与非门NAND1的器件尺寸设计合适的翻转电平；所述的上升沿产生模块(12)含有第一反相器INV1构成电压反相电路，用来产生上升沿的阶跃信号；第一两输入与非门NA...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢亮，唐雨晴，张文杰，金湘亮，
申请(专利权)人：湘潭芯力特电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南,43
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