自动感知导弹运行状态的低功耗履历电路制造技术

自动感知导弹运行状态的低功耗履历电路，主要包括MCU主控芯片及其外围电路的连接。连接方式：FLASH存储器通过SPI协议连接MCU对应SPI口；高低速晶体振荡电路分别与MCU的高低速时钟接口连接；RS-232电平转换芯片通过USART方式与MCU接口连接；RS-232电平转换芯片与串转USB接口连接；电源电路与MCU电源端相连；外部导弹信号处理电路与MCU对应接口的连接。本电路可以有效解决现阶段采用纸质履历本记录的不足，使履历信息记录更加方便、准确、全面和可信，并促使履历信息的规范化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种履历电路，特别是一种采用低功耗能够实时管理信息的低功耗导弹履历电路。
技术介绍
装备履历是军事装备的重要技术文件之一，装备验收后随装备交付用户，是主要的随机文件之一。用于记载装备从生产、交付、使用维护到退役报废全过程的管理和维护信息，是装备全寿命管理的重要信息基础和依据，对装备的日常管理、后续保障和技术研究有十分重要的意义。导弹装备一直采用纸质履历本，由于管理界面比较复杂，作业流程繁多等原因，存在履历信息记录不全面、不准确的情况。此外导弹履历本没有统一的规范，要求记录的信息不尽相同，特别是装备的测试记录、运转等情况通常都没有记录，使履历信息有不少缺失。目前部队均没有将导弹履历信息录入相关的信息系统，履历信息不能共享，不便于利用，没有发挥其效用，造成信息资源的很大浪费。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是:解决纸质履历本存在的不足，提供一种功耗低、体积小、对导弹没有信号干扰的低功耗履历电路。本专利技术的技术解决方案是:自动感知导弹运行状态的低功耗履历电路，包括MCU主控芯片、FLASH存储器、晶体振荡电路、接口芯片、RS-232电平转换芯片、电源电路、信号处理电路；MCU主控芯片通过SPI接口连接FLASH存储器，在MCU主控芯片的高低速时钟口处分别连接高速和低速晶体振荡电路；通过MCU主控芯片的USART方式与RS-232电平转换芯片相连，MCU主控芯片的外围接口连接电源电路和信号处理电路；初始化设置时，设置MCU主控芯片为ACTIVE-HALT工作模式，该模式下，选择低速晶体振荡电路，并设置空闲引脚为输出口且输出低电平；FLASH存储器配置为POWERDOWN模式；电源电路控制电池为MCU主控芯片供电；弹体上引出的载机地线GND、联锁线11mA和26V电源线(导弹通电状态)接入信号处理电路，由信号处理电路将输入的信号转换为MCU主控芯片可识别的高低电平信号；当MCU主控芯片检测到输入的某一个信号高低电平状态信号发生变化时，MCU主控芯片根据信号的变化唤醒并工作在正常模式下，正常模式下，MCU主控芯片将接收的该信号高低电平信号状态连同低速晶体振荡电路产生的基准时钟信号时间信息一起存入FLASH存储器中；当需要查看FLASH存储器存储的信息或者进行写入、更改、擦除以及时间校正时，通过上位机发出相应指令至MCU主控芯片，MCU主控芯片通知电源电路，由电源电路利用将外部电源降压处理后得到的电压对MCU主控芯片进行供电，MCU主控芯片根据指令将FLASH存储器中的信号进行修改、筛选并选择高速晶体振荡电路，在高速晶体振荡电路产生的基准时钟信号的控制下将降待查看信号发送至RS-232电平转换芯片，RS-232电平转换芯片将接收的信号由TTL转换为232电平发送至上位机。所述的信号处理电路包括联锁线11mA信号处理电路、载机地线GND信号处理电路和26V电源线信号处理电路。所述的联锁线11mA信号处理电路以运算放大器U3为基本结构，外接电阻R32、R33、R34、R35 和电容 C3UC32 ；联锁线11mA信号从运算放大器U3的IN+ 口输入，同时连接R34 —端到地；运算放大器U3的反向输入接R35和R32，R35另外一端接地，R32另一端接运算放大器U3的输出端；运算放大器U3的输出端接电阻R33，R33另一端为输出端SIGN2.5，并接电容C31到地，运算放大器U3的电源端接3.3V电源，同时接入C32到地，运放地端接地。所述的26V电源线信号处理电路以光电親合器U4为基本结构，光电親合器U4发光管端的正极连接电阻R42、电阻R41的一端，二极管D41的负极；U4发光管端的负极连接电阻R42的另一端，电阻R44 —端以及二极管D41的正极；电阻R41的另一端为光电耦输入端口 IN28 ;光电耦合器U4三极管端的发射极连接电阻R44的另一端，同时接地，集电极连接电阻R43 —端，同时作为光电耦输出端口 0UT28，电阻R43另一端接3.3V电源。本专利技术与现有技术相比的优点在于:(1)本专利技术将彻底改变部队目前一直采用纸质记录导弹状态变化的现状，具备实时记录，随时调用，常年待机等特点，大大提高了工作效率；(2)本专利技术所形成的电子履历信息，可以直接由导弹装备保障信息系统进行管理，便于各级掌控装备的技术状况，使部队、生产厂、修理厂等能实时共享装备技术信息，对装备管理的信息化起到实质性的推动作用。(3)本专利技术利用MCU内部RTC，在记录相关信息的同时加入对应时间信息，使信息更全面。(4)本专利技术对于不同的功能应用，在RTC和USART通信上，分别选用低速32.768KHz和高速11.0592MHz晶振，降低系统功耗同时提高数据的精准度。(5)本专利技术电源电路可以进行锂电池和外部电源的切换，导弹状态检测时，由电池供电；数据通信时，由履历管理设备引入的外部电源供电，极大降低系统功耗，延长导弹履历电路使用寿命。【附图说明】图1，2为11mA电流信号处理电路结构示意图；图3为26V电压信号处理电路结构示意图；图4为机载地线信号处理电路结构示意图；图5为本专利技术电路示意图。【具体实施方式】下面结合附图及实例对本专利技术做详细说明。本专利技术一种低功耗导弹履历电路，如图5所示，首先选取低功耗MCU作为主控芯片，通过SPI接口连接FLASH芯片，在MCU的高低速时钟口处分别连接高速(11.0592MHz串口时钟)和低速(32.768KHz RTC时钟)晶体振荡电路，然后通过MCU的USART方式与RS-232电平转换芯片相连，最后在MCU的外围接口上连接电源处理电路和信号处理电路。初始化设置时，设置MCU主控芯片为ACTIVE-HALT工作模式，该模式下，只有外围RTC工作，且RTC选择低速晶体振荡电路(低速时钟32.768KHz)，其他都处于休眠状态，可以大大降低系统功耗。初始化端口时设置空闲引脚为输出口且输出低电平；在FLASH空闲状态下，FLASH存储器配置为POWERDOWN模式，减小系统消耗；电源电路控制电池为MCU主控芯片供电；在数据存储时，为了满足客户对多种不同类别信息的区分，对FLASH区域进行了块和扇区的划分，方便不同类别数据的存储和调取。弹体上引出的载机地线GND(信号变化表征导弹挂机状态)、联锁线llmA(导弹挂飞状态)和26V电源线(导弹通电状态)接入信号处理电路，由信号处理电路将输入的信号转换为MCU主控芯片可识别的高低电平信号；当MCU主控芯片检测到输入的某一个信号电平状态发生变化时，会利用这一变化唤醒MCU，使MCU主控芯片切换到正常模式下，正常模式下，MCU主控芯片将接收的该信号高低电平状态连同低速晶体振荡电路产生的基准时钟信号时间信息一起存入FLASH存储器中；当需要查看FLASH存储器存储的信息或者进行写入、更改、擦除以及时间校正时，通过上位机发出相应指令至MCU主控芯片，MCU主控芯片通知电源电路，由电源电路利用将外部电源降压处理后得到的电压对MCU主控芯片进行供电，MCU主控芯片根据指令将FLASH存储器中的信号进行修改、筛选并选择高速晶体振荡电路，在高速晶体振荡电路产生的基准时钟信号的控制下将待查看信号发送至RS-232当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
自动感知导弹运行状态的低功耗履历电路，其特征在于:包括MCU主控芯片、FLASH存储器、晶体振荡电路、接口芯片、RS‑232电平转换芯片、电源电路、信号处理电路；MCU主控芯片通过SPI接口连接FLASH存储器，在MCU主控芯片的高低速时钟口处分别连接高速和低速晶体振荡电路；通过MCU主控芯片的USART方式与RS‑232电平转换芯片相连，MCU主控芯片的外围接口连接电源电路和信号处理电路；初始化设置时，设置MCU主控芯片为ACTIVE‑HALT工作模式，该模式下，选择低速晶体振荡电路，并设置空闲引脚为输出口且输出低电平；FLASH存储器配置为POWERDOWN模式；电源电路控制电池为MCU主控芯片供电；弹体上引出的载机地线GND、联锁线11mA和26V电源线接入信号处理电路，由信号处理电路将输入的信号转换为MCU主控芯片可识别的高低电平信号；当MCU主控芯片检测到输入的某一个信号高低电平状态信号发生变化时，MCU主控芯片根据信号的变化唤醒并工作在正常模式下，正常模式下，MCU主控芯片将接收的该信号高低电平信号状态连同低速晶体振荡电路产生的基准时钟信号时间信息一起存入FLASH存储器中；当需要查看FLASH存储器存储的信息或者进行写入、更改、擦除以及时间校正时，通过上位机发出相应指令至MCU主控芯片，MCU主控芯片通知电源电路，由电源电路利用将外部电源降压处理后得到的电压对MCU主控芯片进行供电，MCU主控芯片根据指令将FLASH存储器中的信号进行修改、筛选并选择高速晶体振荡电路，在高速晶体振荡电路产生的基准时钟信号的控制下将降待查看信号发送至RS‑232电平转换芯片，RS‑232电平转换芯片将接收的信号由TTL转换为232电平发送至上位机。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许新群，兰军峰，杨黎，涂彦杰，祝建彬，王永东，王晔华，杨国胜，陈伟萍，刘洪全，王友，
申请(专利权)人：北京时代民芯科技有限公司，北京微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11