【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种薄膜晶体管液晶显示器
,特别是一种薄膜晶体管及其制造方法、液晶面板。
技术介绍
在液晶面板工业中,采用环形栅极设计可以极大地提高W/L(沟道宽度与长度的比值),从而提高开态电流和充电率。并且环形栅极结构由于其电场是闭口对称设计,所以非常有利于减少半导体的应力(Stress)效应。因此,开发环形栅极结构对于提高TFT器件的特性具有非常大的意义。然而,若需要将环形栅极设计运用于量产,降低生产成本,则需要采用更少的Mask数。如能能够降低生产并用于量产是目前急需解决的一个问题。
技术实现思路
为克服现有技术的不足,本专利技术提供一种薄膜晶体管及其制造方法、液晶面板,从而降低生产成本。本专利技术提供了一种薄膜晶体管包括基板,所述基板上形成有缓冲层、栅极、扫描线、源极及信号线,所述信号线与扫描线交叉设置,所述信号线和扫描线交叉围绕形成像素显示区域,栅极以及源极位于像素显示区域内,扫描线、栅极设置在缓冲层上,所述栅极与扫描线电连接,源极与信号线电连接,所述栅极在基板上的投影形状为环形;在缓冲层上形成有栅极绝缘层以及漏极,漏极与信号线电连接,所述栅极绝缘层上位于源极之上开有导通孔,漏极设于导通孔内并且与源极电连接;在栅极绝缘层上形成像素电极以及在扫描线靠近信号线的两端形成有连接结构,实现扫描线与扫描线之间电连接,像素电极的一端与漏极电连接;所述像素电极设置在位于漏极之上,连接结构覆盖在位于扫描线的两端以及栅极绝缘层上位于扫描线之间的位置处。进一步地,所述信号线、源极设置在缓冲层中,并且与缓冲层设置在同一层上。进一步地,所述漏极、栅极、扫描线与栅极绝 ...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管包括基板(1),其特征在于:所述基板(1)上形成有缓冲层(2)、栅极(6)、扫描线(5)、源极(4)及信号线(3),所述信号线(3)与扫描线(5)交叉设置,所述信号线(3)和扫描线(5)交叉围绕形成像素显示区域,栅极(6)以及源极(4)位于像素显示区域内,扫描线(5)、栅极(6)设置在缓冲层(2)上,所述栅极(6)与扫描线(5)电连接,源极(4)与信号线(3)电连接,所述栅极(6)在基板上的投影形状为环形;在缓冲层(2)上形成有栅极绝缘层(7)以及漏极(8),漏极(8)与信号线(3)电连接,所述栅极绝缘层(7)上位于源极(4)之上开有导通孔(9),漏极(8)设于导通孔(9)内并且与源极(4)电连接;在栅极绝缘层(7)上形成像素电极(11)以及在扫描线(5)靠近信号线(3)的两端形成有连接结构(10),实现扫描线(5)与扫描线(5)之间电连接,像素电极(11)的一端与漏极(8)电连接;所述像素电极(11)设置在位于漏极(8)之上,连接结构(10)覆盖在位于扫描线(5)的两端以及栅极绝缘层(7)上位于扫描线(5)之间的位置处。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管包括基板(1),其特征在于:所述基板(1)上形成有缓冲层(2)、栅极(6)、扫描线(5)、源极(4)及信号线(3),所述信号线(3)与扫描线(5)交叉设置,所述信号线(3)和扫描线(5)交叉围绕形成像素显示区域,栅极(6)以及源极(4)位于像素显示区域内,扫描线(5)、栅极(6)设置在缓冲层(2)上,所述栅极(6)与扫描线(5)电连接,源极(4)与信号线(3)电连接,所述栅极(6)在基板上的投影形状为环形;在缓冲层(2)上形成有栅极绝缘层(7)以及漏极(8),漏极(8)与信号线(3)电连接,所述栅极绝缘层(7)上位于源极(4)之上开有导通孔(9),漏极(8)设于导通孔(9)内并且与源极(4)电连接;在栅极绝缘层(7)上形成像素电极(11)以及在扫描线(5)靠近信号线(3)的两端形成有连接结构(10),实现扫描线(5)与扫描线(5)之间电连接,像素电极(11)的一端与漏极(8)电连接;所述像素电极(11)设置在位于漏极(8)之上,连接结构(10)覆盖在位于扫描线(5)的两端以及栅极绝缘层(7)上位于扫描线(5)之间的位置处。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于:所述信号线(3)、源极(4)设置在缓冲层(2)中,并且与缓冲层(2)设置在同一层上。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于:所述漏极(8)、栅极(6)、扫描线(5)与栅极绝缘层(7)设置在同一层上。4.根据权利要求1至3任意一项所述的薄膜晶体管,其特征在于:所述漏极(8)在基板上的投影形状为圆形。5.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于:该方法包括三道光掩膜工艺;第一道光掩膜工艺在基板上形成信号线(3)、扫描线(5)、缓冲层(2)、源极(4)、环形的栅极(6);第二道光掩膜工艺形成漏极(8);第三道光掩膜工艺形成一端与漏极(8)连接的像素电极(11)以及连接扫描线(5)靠近信号线两端的连接结构(10)。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法,其特征在于:所述第一道光掩膜工艺包括以下步骤:步骤一S101,在基板(1)上通过化学气相沉积形成缓冲层(2);步骤二S102,对缓冲层(2)采用黄光工艺进行光...
【专利技术属性】
技术研发人员:周志超,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。