【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种非晶硅膜的成膜方法及成膜装置。
技术介绍
非晶硅膜用于半导体集成电路装置的接触孔、线的嵌入等。例如在专利文献1、2中记载有非晶硅的成膜方法。特别是在专利文献2中记载有一种将乙硅烷在400°C 500°C下分解而获得表面平滑的导电体层的方法。近年来，伴随着半导体集成电路装置的高集成化，正在进行接触孔、线的微细化。专利文献1 :日本特开昭63 - 29954号公报专利文献2 :日本特开平I 一 217956号公报为了嵌入进行了微细化的接触孔、线，非晶硅膜的进一步薄膜化成为必需技术。乙硅烷是一种有利于薄膜化的成膜材料，另一方面，在使用乙硅烷形成的非晶硅膜中难以获得良好的台阶覆盖率。而与乙硅烷相比，硅烷易于获得良好的台阶覆盖率，但是孵育时间较长，是一种不利于薄膜化的成膜材料。另外，在进行薄膜化的同时形成具有更平滑的表面的非晶硅膜也是重要的。这是因为，若利用在表面具有凹凸的非晶硅膜来嵌入接触孔、线，则会产生有空隙。
技术实现思路
本专利技术提供一种具有更平滑的表面、并且能够实现进一步薄膜化的非晶硅膜的成膜方法及成膜装置。本专利技术的第I技术方案的非晶硅膜的成...
【技术保护点】
一种非晶硅膜的成膜方法，其用于在基底上形成包括非晶硅膜的膜，其特征在于，该非晶硅膜的成膜方法包括以下工序：（1）加热上述基底，向上述加热了的基底供给氨基硅烷类气体，在上述基底表面上形成晶种层；（2）加热上述基底，向上述加热了的基底表面的晶种层供给不含氨基的硅烷类气体，在上述晶种层上将非晶硅膜形成为层成长的厚度；（3）对形成为上述层成长的厚度的上述非晶硅膜进行蚀刻，减小该非晶硅膜的膜厚。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：柿本明修，高木聪，五十岚一将，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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