The invention discloses a p type CaMSnO amorphous oxide semiconductor thin film, wherein Ca is +2 price, M is a VIIIB transition metal Fe, Co, Ni, +3 and Ca price, together with the M and O combine to form P type conductive base material; Sn +2 price formation at the same time p type conductive in the matrix, and has a spherical electron orbit in the amorphous state of electron cloud to a high degree of overlap, hole transport channel effect. The invention also provides a preparation method for preparing p type CaCoSnO amorphous oxide semiconductor thin film, first prepared by sintering CaCoSnO ceramics, as a target by pulsed laser deposition, preparation of P type CaCoSnO amorphous films, the hole concentration of 10
【技术实现步骤摘要】
一种p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法
本专利技术涉及一种非晶氧化物半导体薄膜，尤其涉及一种p型非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管（TFT）是微电子特别是显示工程领域的核心技术之一。目前，TFT主要是基于非晶硅（a-Si）技术，但是a-SiTFT是不透光的，光敏性强，需要加掩膜层，显示屏的像素开口率低，限制了显示性能，而且a-Si迁移率较低（~2cm2/Vs），不能满足一些应用需求。基于多晶硅（p-Si）技术的TFT虽然迁移率高，但是器件均匀性较差，而且制作成本高，这限制了它的应用。此外，有机半导体薄膜晶体管（OTFT）也有较多的研究，但是OTFT的稳定性不高，迁移率也比较低（~1cm2/Vs），这对其实际应用是一个较大制约。为解决上述问题，人们近年来开始致力于非晶氧化物半导体（AOS）TFT的研究，其中最具代表性的是InGaZnO。与Si基TFT不同，AOSTFT具有如下优点：可见光透明，光敏退化性小，不用加掩膜层，提高了开口率，可解决开口率低对高分辨率、超精细显示屏的限制；易于室温沉积，适用于有机柔性基板；迁移率较高，可实现...
【技术保护点】
一种p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于：所述CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜中Ca为+2价，M为VIIIB族过渡金属Fe、Co、Ni中的一种，且为+3价，Ca与M共同与O结合形成材料的p型导电基体；Sn为+2价，在基体中也同时形成p型导电，且具有球形电子轨道，在非晶状态下电子云高度重合，起到空穴传输通道的作用。
【技术特征摘要】
1.一种p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于：所述CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜中Ca为+2价，M为VIIIB族过渡金属Fe、Co、Ni中的一种，且为+3价，Ca与M共同与O结合形成材料的p型导电基体；Sn为+2价，在基体中也同时形成p型导电，且具有球形电子轨道，在非晶状态下电子云高度重合，起到空穴传输通道的作用。2.根据权利要求1所述的一种p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于：M为Co，即CaMSnO为CaCoSnO，所述p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜化学式为Ca3Co4SnxO9+x，其中1≦x≦2。3.根据权利要求2所述的一种p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于：所述p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜的空穴浓度1012...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕建国，程晓涵，叶志镇，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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