一种薄膜型酒精气敏传感器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于ZnSnO基非晶氧化物半导体薄膜的薄膜型酒精气敏传感器及其制备方法。该酒精气敏传感器包括绝缘衬底层、电极层和传感层，其中传感层为非晶氧化物半导体薄膜。本发明专利技术还提供了所述的酒精气敏传感器的制备方法，步骤包括绝缘衬底层准备步骤、金属电极制备步骤以及气敏传感层ZnSnO非晶基薄膜的制备步骤。其中传感层是由溶液化学方法制备。本发明专利技术使用的制备方法操作简单、成本低，制得的非晶氧化物半导体薄膜作为传感层的酒精气敏传感器具有探测灵敏度高、制备方法简单、重复性好等优点，在军事、民用等领域具有重要的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及气敏传感器领域，尤其涉及一种非晶氧化物半导体薄膜型酒精气敏传感器及其制备方法。
技术介绍
随着经济快速发展，人们的生活质量迅速提高，环境保护意识逐渐增强，人们对气敏传感器的需求日渐突出。气敏传感器的工作原理是：气体分子对传感层表面和内部电阻产生影响，通过电阻的变化反映出对气体的响应和检测，从而实现对气体浓度和成分的检测。自从20世纪初发现金属氧化物半导体具有气敏效应，其发展得到了科研工作者的广泛关注。目前主要被大范围地应用在交通、食品、安全、矿山以及工业自动化监测等领域，探测甲烷、一氧化碳、氢气、酒精等多种气体，起到了不可取代的作用。目前被广泛研究的气敏材料包括ZnO、SnO2、Fe2O3等半导体材料。在实际应用中一般是将制备的粉末气敏材料涂覆到绝缘基板上，再经过退火老化等步骤形成气敏传感层，经过器件的小型化和智能化后应用在相关领域中。但是这类传感材料是通过纳米颗粒的粘合，晶界处俘获中心比较多、化学稳定性不高，导致传感器的灵敏度不高。虽然最近几十年中一维纳米材料基于其较高的比表面积和较强的灵敏度，展示出非常好的发展前景。但是众所周知，一维纳米材料由于其巨大的比表面积使得材料本身极其不稳定，不利于传感器的长期稳定使用。目前，人们所开发的气敏传感器基本都是基于纳米材料，但纳米材料自身的特点及其制备流程决定了其难以实现大规模集成化生产，也与现有的微电子技术和集成化工艺不兼容。非晶氧化物半导体半导体薄膜是一种非常重要的半导体氧化物材料，在最近的十余年间得到了较大发展，其特殊的电学性能使得这类材料非常有希望应用在光电信息和传感领域。目前，非晶氧化物半导体半导体薄膜在新一代显示技术等领域已获得初步应用，如作为薄膜晶体管（TFT）的沟道层；文献中也有报道非晶氧化物半导体半导体薄膜用于紫外探测、生物传感等的研究成果，但目前还未见到利用非晶氧化物半导体半导体作为气敏传感层来应用在气敏传感器领域。作为非晶氧化物半导体半导体薄膜，其具备一般的纳米材料所不具备的性能，例如不存在晶界俘获中心、化学稳定性高、抗辐射性高等优点。特别是，利用非晶氧化物半导体半导体薄膜制作气敏传感器，与现有微电子技术和平面工艺相兼容，可实现器件的微型化和集成化，因而也易于实现气敏传感器的智能化和便携化，向可穿戴产品发展，这是与现有基于纳米材料的气敏传感器的最大区别和优势。因此，基于非晶氧化物半导体半导体薄膜的气敏传感器将是一种新型的气体探测器，代表着未来的发展方向，具有巨大的潜在市场应用前景。
技术实现思路
为克服现有技术中的问题，本专利技术旨在提供一种基于非晶氧化物半导体薄膜的薄膜型酒精气敏传感器及其制备方法，进行新型气敏传感器探索。本专利技术提供了一种薄膜型酒精气敏传感器，所述薄膜型酒精气敏传感器，包含绝缘衬底层、电极层和传感层；其中电极层含两个相对设置的电极、绝缘衬底层置于底部、传感层与电极层置于绝缘衬底层上、且呈上下层布置；其中所述传感层为非晶氧化物半导体薄膜。进一步地，电极层设置于绝缘衬底层上表面，传感层覆盖于电极层上。进一步地，作为传感层的非晶氧化物半导体薄膜为ZnSnO基非晶氧化物半导体薄膜，其中可加入少量金属元素包括Al、Ga、Si、Nb、In、Hf、Zr等元素来调控其化学组分及薄膜的传感性能。进一步地，所述ZnSnO基非晶氧化物半导体薄膜的化学式为ZnxSnyOx+2y，其中0.1≤x≤0.5，0.5≤y≤0.9，且x+y=1。进一步地，所述作为传感层的非晶氧化物半导体薄膜厚度为50nm～800nm。本专利技术还提供了一种酒精气敏传感器的制备方法，该方法包括以下步骤：选择绝缘衬底层，并对绝缘衬底层彻底清洗，清洗后干燥；在绝缘衬底层表面制备电极层；并进行蚀刻，形成相对设置的两个电极；在电极层上制备非晶氧化物半导体薄膜，作为酒精气敏传感器的传感层。或者，该酒精气敏传感器的制作步骤顺序为，从而形成的薄膜型酒精气敏传感器从下至上依次为绝缘衬底层、非晶氧化物半导体薄膜的传感层、电极层。进一步地，步骤中作为传感层的非晶氧化物半导体是通过溶液化学方法中的一种制备的ZnSnO基非晶氧化物半导体薄膜。本专利技术的有益效果在于：1）本专利技术制作的基于ZnSnO基非晶氧化物半导体薄膜的薄膜型酒精气敏传感器是一种新型的传感器，其探测灵敏度高，有望在军事和民用等众多领域实现其应用。2）非晶氧化物半导体薄膜型酒精气敏传感器，具有目前的纳米材料传感器器所不具备的性能，例如不存在纳米材料的纳米效应，大大减小了缺陷的产生，而且化学稳定性更高、抗辐射性更高。利用非晶氧化物半导体薄膜制作气敏传感器，克服了基于纳米材料的气敏传感器难以实现大规模集成化生产、难以与现有的微电子技术和集成化工艺兼容等缺点。非晶氧化物半导体薄膜型传感器能够与现有微电子技术和平面工艺相兼容，可实现器件的微型化和集成化，因而也易于实现气敏传感器的智能化和便携化，向可穿戴产品发展。本专利技术制备的非晶氧化物半导体薄膜型酒精气敏传感器，证实了非晶氧化物半导体薄膜在气敏传感器上应用的可能。3）本专利技术提供非晶氧化物半导体酒精气敏传感器的制备方法，其中传感层非晶氧化物半导体薄膜的制备方法灵活性强，可以选择传统制膜方法，包括常用的磁控，脉冲激光沉积等物理方法；也可选择化学溶液法，该法制备工艺简单、成本低，且能实现薄膜的低温生长，能够大大增加了在工业上应用的机会。4）另外本专利技术提供非晶氧化物半导体薄膜型酒精气敏传感器的制备方法，其中制得的非晶氧化物半导体薄膜传感层表面平整，成分分布均匀，易于腐蚀，可大面积制备，且成品率高。5）本专利技术制备得到的非晶氧化物半导体薄膜型酒精气敏传感器，相对于传统纳米材料而言，其比表面积极其小，但是传感器的性能却能够与纳米材料制备的传感器相当。附图说明图1为本专利技术薄膜型酒精气敏传感器的结构示意图。图2为图1中A-A方向的截面示意图。图3为本专利技术薄膜型酒精气敏传感器的另一结构示意图。图4为实例1中薄膜型酒精气敏传感器对20ppm浓度的酒精含量的响应图。图5为实例1中薄膜型酒精气敏传感器对100ppm浓度的酒精含量的响应图。图6为实例1中薄膜型酒精气敏传感器对500ppm浓度的酒精含量的响应图。其中，图中：1为绝缘衬底层，2为电极层，3为传感层。具体实施方式以下结合附图及具体实例进一步说明本专利技术。如图1所示为本专利技术的薄膜型酒精气敏传感器，图2为图1沿A-A方向的截面图，图中可以看到，本专利技术的薄膜型酒精气敏传感器包括绝缘衬底层、电极层以及传感层，其中电极层含两个相对设置于衬底上表面的电极，传感层覆盖于电极层上。图1及图2所示的仅为本专利技术的薄膜型酒精气敏传感器的一种优选结构，该结构由于将传感层置于电极层的顶部，在整个传感器的外层，因此可以增加感应气体与传感层的有效接触面积，因此可以有效的提高传感器的探测敏感度。本专利技术的薄膜酒精气敏传感器，也可以采用如图3的结构，传感层设置于衬底的上表面，而电极层覆盖在传感层的上方。本专利技术所述的绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜型酒精气敏传感器，所述薄膜型酒精气敏传感器，包含绝缘衬底层、电极层和传感层；其中电极层含两个相对设置的电极、绝缘衬底层置于底部、传感层与电极层置于绝缘衬底层上、且呈上下层布置；其特征在于：所述传感层为非晶氧化物半导体薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜型酒精气敏传感器，所述薄膜型酒精气敏传感器，包含绝缘衬底层、电极层和传感层；其中电极层含两个相对设置的电极、绝缘衬底层置于底部、传感层与电极层置于绝缘衬底层上、且呈上下层布置；其特征在于：所述传感层为非晶氧化物半导体薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜型酒精气敏传感器，其特征在于：电极层设置于绝缘衬底层上表面，传感层覆盖于电极层上。
3.根据权利要求1所述的一种薄膜型酒精气敏传感器，其特征在于：作为传感层的非晶氧化物半导体薄膜为ZnSnO基非晶氧化物半导体薄膜。
4.根据权利要求3所述的一种薄膜型酒精气敏传感器，其特征在于：所述ZnSnO基非晶氧化物半导体薄膜的化学式为ZnxSnyOx+2y，其中0.1≤x≤0.5，0.5≤y≤0.9，且x+y=1。
5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕建国，江庆军，冯丽莎，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33