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本发明公开了一种基于ZnSnO基非晶氧化物半导体薄膜的薄膜型酒精气敏传感器及其制备方法。该酒精气敏传感器包括绝缘衬底层、电极层和传感层，其中传感层为非晶氧化物半导体薄膜。本发明还提供了所述的酒精气敏传感器的制备方法，步骤包括绝缘衬底层准备步...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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