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本发明公开了一种p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜，其中Ca为+2价，M为VIIIB族过渡金属Fe、Co、Ni中的一种，且为+3价，Ca与M共同与O结合形成材料的p型导电基体；Sn为+2价，在基体中也同时形成p型导电，且具有球形电子轨道，...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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