【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体材料与器件制造
，涉及半导体材料的生长方法，特别是一种半导体碳化硅衬底的石墨烯CVD外延生长方法，可用于无需转移的大面积石墨烯材料的生长制备，并为碳化硅-石墨烯器件的制造提供材料。
技术介绍
石墨烯是一种由碳原子组成的二维晶体，是目前已知最轻最薄的材料，具有非常奇特的物理化学性质，具有突出的产业优势，有望替代Si成为下一代基础半导体材料的新材料。过渡族金属催化化学气象沉积(CVD)外延是国际上广泛采用的大面积石墨烯制·备的方法，它不受衬底尺寸的限制，设备简单，可以大批量生产。但是，CVD外延制备的原生石墨烯下方的金属衬底导电性使得其无法直接应用，必须依赖衬底转移技术，将金属衬底去除然后转移至合适的衬底上，而在转移过程中不可避免地会对石墨烯薄膜产生污染和损坏，影响石墨烯材料和器件的性能。碳化硅(SiC)作为一种宽禁带材料，具有良好的电学和热学性能，成为电子研究领域的热门研究课题。可用于制备功率器件、频率器件等。特别是石墨烯发现之后，碳化硅一石墨烯器件结构已经成为研究热点。因此，在碳化硅衬底上直接利用CVD方法外延生长石墨烯，能够减小晶格失...
【技术保护点】
一种基于SiC衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法，其特征在于，采用半导体SiC作为衬底，通过对SiC衬底进行合理的预处理，调节生长压力，流量以及温度，在SiC上面直接生长石墨烯，无需金属作为催化剂，生长的石墨烯直接用于制造各种器件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王东，宁静，韩砀，闫景东，柴正，张进成，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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