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本发明公开了一种基于SiC衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法，采用半导体SiC作为衬底，通过对SiC衬底进行合理的预处理，调节生长压力，流量以及温度，在SiC上面直接生长石墨烯，无需金属作为催化剂，生长的石墨烯无需转移过程，便可以直接用于制...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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