具有新型结构的高压(HV)器件端接及其制备方法技术

本发明专利技术为具有新型结构的高压(HV)器件端接及其制备方法，公开了一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，含有一个形成在轻掺杂区上的重掺杂区，并且具有一个有源器件元区和一个边缘终接区。边缘终接区包括多个终接沟槽，形成在重掺杂区中，终接沟槽内衬电介质层，并且用导电材料填充。边缘终接还包括多个掩埋保护环，作为掺杂区，在半导体衬底的轻掺杂区中，紧靠终接沟槽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要关于半导体功率器件。更确切的说，本专利技术是关于用于高压(HV)器件的新型改良型边缘终接的结构及制备方法，以便增强可靠性，减少终接区所占的面积，同时保持闻击穿电压。
技术介绍
终接区中传统的浮动保护环不足以承受高压(HV)器件的高击穿电压，如图I所示，高压(HV)器件具有重掺杂的N区110 (例如掺杂浓度达1016掺杂物/cm3)，在衬底105的顶面以下2至5微米的深度。重掺杂区110中的N-电荷过高，浮动保护环为植入在重掺杂N区中的P型掺杂区，为了承受终接区中较高的击穿电压，浮动保护环需要电荷补偿。传统的边缘终接带有氧化物内衬沟槽中的电压降，并不能有效解决由于这种边缘终接仅可以承受高达100伏的击穿电压而造成的问题。100伏以下的击穿电压是由于沟槽下方的显著的场拥挤效应而引起的。当需要较高的电压运行时，边缘终接处的低击穿电压会限制高压(HV)器件的应用。因此，在功率半导体器件设计和制备领域中，有必要提出一种新型改良的边缘终接，从而解决上述难题与局限。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个方面在于，提出了一种新型、改良的边缘端接结构，以降低在器件边缘终接区中的电场拥挤效应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体功率器件，其设置在半导体衬底中，包括一个形成在轻掺杂区上方的重掺杂区，并且具有一个有源器件元区和一个边缘终接区，其特征在于，所述的边缘终接区包括多个终接沟槽，形成在所述的重掺杂区上，内衬电介质层，并且填充导电材料；以及多个掩埋保护环，作为掺杂区，形成在所述的半导体衬底的所述的轻掺杂区中，位于终接沟槽附近。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李亦衡，马督儿·博德，丁永平，金钟五，安荷·叭剌，
申请(专利权)人：万国半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：