一种背钝化太阳能电池制造技术

技术编号:8360190 阅读:266 留言:0更新日期:2013-02-22 08:07
本实用新型专利技术提供了一种背钝化太阳能电池,包括正面电极主栅、正面电极细栅、正面减反膜、带PN结的P型硅片、铝背场和焊接导线的背面电极,在硅片背面与铝背场之间增加了背面钝化层,背面钝化层的局部位置通过银、银铝或铝实现硅片背面与铝背场的导通。本实用新型专利技术减少了硅和铝金属之间的接触界面复合速率,提高电池的电学性能,从而大大提高电池的转换效率,电池转换效率可以提高0.4~1.0%。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能光伏发电领域,尤其涉及一种高效率的双面发电的P型晶硅太阳能电池结构。
技术介绍
太阳能资源丰富、分布广泛,是最具发展潜力的可再生能源。随着全球能源短缺和环境污染等问题日益突出,太阳能光伏发电因其清洁、安全、便利、高效等特点,已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。常规晶硅太阳能电池是由正面电极主栅、正面电极细栅、减反膜、带PN结的P型硅片、铝背场、焊接焊带用的背面电极等组成,硅片背表面与铝金属直接接触,硅和铝金属之 间的接触界面复合速率极高,会使太阳电池效率显著降低。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本专利技术提供一种背钝化的高效太阳能电池,大大提高电池的转换效率。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是包括正面电极主栅、正面电极细栅、正面减反膜、带PN结的P型硅片、铝背场和焊接导线的背面电极,在硅片背面与铝背场之间增加了背面钝化层,背面钝化层的局部位置通过银、银铝或铝实现硅片背面与铝背场的导通。所述的硅片背面经历背抛光工艺,使硅片背面变得更加平整。所述的背面钝化层可以是单层电介质钝化膜,是二氧化硅膜、三氧化二铝膜或氮化娃膜中的任意一种,厚度为3(Tl0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背钝化太阳能电池,包括正面电极主栅、正面电极细栅、正面减反膜、带PN结的P型硅片、铝背场和焊接导线的背面电极,其特征在于:在硅片背面与铝背场之间增加了背面钝化层,背面钝化层的局部位置通过银、银铝或铝实现硅片背面与铝背场的导通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:秦应雄巨小宝豆维江燕林豹张岩李大伟胡智星
申请(专利权)人:西安黄河光伏科技股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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