N型太阳能电池组件及N型太阳能电池硅片制造技术

技术编号:8360191 阅读:175 留言:0更新日期:2013-02-22 08:07
本实用新型专利技术提供了一种N型太阳能电池硅片,硅片的表面设置有主栅线和与之相导通的多条辅栅线,主栅线上设置有至少一部分为由多条传导栅线构成的栅线组。辅栅线用于将N型太阳能电池硅片表面生成的光生载流子收集并传递至主栅线,经主栅线和其上的栅线组传递到外电路中,栅线组由多条传导栅线构成,与实心结构的主栅线相比,栅线组减少了浆料的使用,降低了主栅线印刷的成本,多条传导栅线构成的主栅线又使得浆料覆盖主栅线位置的面积减小,在一定程度上能够提高N型太阳能电池的光电转换效率。本实用新型专利技术还提供了一种N型太阳能电池组件,包括包括接线盒和与之相连的N型太阳能电池硅片,该N型太阳能电池硅片为上述结构的N型太阳能电池硅片。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池制造
,更具体地说,涉及一种N型太阳能电池组件及N型太阳能电池硅片
技术介绍
晶体硅太阳能电池已经被大规模应用到各个领域,其良好的稳定性和成熟的工艺流程是其大规模应用的基础。N型太阳能电池作为晶体硅太阳能电池的一种类型,其以N型直拉单晶硅为基体,硅片的背面是覆盖有SiO2和SINx双层钝化膜的硼扩散制备的P型发射结,硅片的正面是磷扩散制备的前表面场,前表面场上覆盖有起钝化和减反射作用的薄膜。如图I所示,图I为现有技术中晶体硅太阳能电池生产工艺流程图。N型太阳能电 池的生产时,首先需要对制作N型太阳能电池的硅片进行清洗,通过化学清洗的过程达到对硅片表面的结构化处理,然后将清洗后的硅片进行扩散工艺,P型硅片在扩散后表面变成N型,形成P-N结,此时对形成P-N结的硅片进行周边刻蚀工艺,以去掉在扩散工艺中在硅片边缘形成的导电层,然后经平板PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition-等离子体增强化学气相沉积法)工艺,即沉积减反射膜,印刷工艺和烧结工艺等制作得到符合要求的N型太阳能电池。晶体硅太阳能电池经PECVD沉积减反射膜后转入印刷电极工序,在这个工序中主要完成电池正面电极、背面电极的印刷。N型太阳能电池表面电极包括主栅线和多条辅栅线,辅栅线与主栅线连接,辅栅线用于吸收由硅片光电转换后形成的光生载流子,并将光生载流子传递至主栅线,然后主栅线将传递到其上的光生载流子传递至外电路中。目前在N型太阳能电池大规模生产中普遍采用丝网印刷技术制作电极,印刷电极工艺是生产过程中比较重要的环节,电极的印刷质量直接影响N型太阳能电池的性能和转换效率。丝网印刷技术主要采用制作好的丝网版,用一定的方法使丝网与待印刷的N型太阳能电池硅片的基片接触,使浆料在丝网上均匀流动,按照掩膜图形注入网孔,当丝网脱开基片时,浆料就以掩膜图像的形状从网孔转移到基片的相应位置上,完成浆料的图像印刷。如图2所示,图2为现有技术中N型太阳能电池硅片上主栅线的结构图。主栅线I与多条辅栅线2的中部相导通,传统的N型太阳能能电池的主栅线I是通过一次印刷在N型太阳能电池硅片正面形成的一条长方形的主栅线1,主栅线I的设计主要使用实心结构,采用实心结构设计的主栅线I增加了浆料的使用,由于浆料的耗量在电池的生产成本中占有较大比例,因此增加了电池的生产成本。主栅线I采用实心结构的设计,也使得硅片上的一部分受光面积完全由主栅线覆盖,一定程度上降低了硅片的光电转换效率。因此,如何实现减少N型太阳能电池硅片表面浆料的使用以降低成本,同时提高N型太阳能电池的光电转换效率,是目前本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本技术提供了一种N型太阳能电池组件及N型太阳能电池硅片,以实现减少N型太阳能电池硅片表面浆料的使用以降低成本,同时提高N型太阳能电池的光电转换效率。为了达到上述目的,本技术提供如下技术方案一种N型太阳能电池硅片,其上设置有主栅线和与所述主栅线相导通的多条辅栅线,所述主栅线上至少一部分为由多条传导栅线构成的栅线组。 优选地,在上述N型太阳能电池硅片中,多条所述传导栅线平行分布。优选地,在上述N型太阳能电池硅片中,任何相邻的两条所述传导栅线之间的间距均相等。优选地,在上述N型太阳能电池硅片中,所述主栅线多条所述传导栅线构成。优选地,在上述N型太阳能电池硅片中,所述栅线组包括实心部和镂空部,所述镂空部与所述实心部沿所述主栅线的长度方向依次分布。优选地,在上述N型太阳能电池硅片中,所述镂空部由多条联接栅线平行分布后构成。优选地,在上述N型太阳能电池硅片中,任何相邻的两条所述联接栅线之间的间距均相等。优选地,在上述N型太阳能电池硅片中,所述主栅线由多个所述栅线组依次连接后组成。优选地,在上述N型太阳能电池硅片中,所述主栅线的两个端部均设置为实心栅线。一种N型太阳能电池组件,包括接线盒和与之相连的N型太阳能电池硅片,所述N 型太阳能电池硅片为如上所述的N型太阳能电池硅片。本技术提供的N型太阳能电池硅片,其表面设置有主栅线和与主栅线相导通的多条辅栅线,主栅线上至少一部分为由多条传导栅线构成的栅线组。主栅线上设置至少一部分为由多条传导栅线构成的栅线组,每条辅栅线均与主栅线相导通,保证了由每条辅栅线传递至主栅线上的光生载流子,经过栅线组的传递后也能经主栅线至外电路中,保证了主栅线对光生载流子的连续的传递功能;同时,主栅线采用多条传导栅线构成的结构,与实心结构的主栅线相比,其减少了浆料的使用量,从而降低了主栅线印刷的成本。多条传导栅线构成的栅线组相对于实心的主栅线结构,在减少浆料的使用量的同时,其又使得浆料覆盖N型太阳能电池硅片表面的主栅线位置的面积减小,即扩大了 N型太阳能电池硅片表面进行光电转换的受光面积,在一定程度上能够提高N型太阳能电池的光电转换效率。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为现有技术中N型硅太阳能电池生产工艺流程图;图2为现有技术中N型太阳能电池硅片上主栅线的结构图;图3为本技术提供的N型太阳能电池硅片的结构示意图;图4为本技术提供的具有实心部和镂空部的N型太阳能电池硅片的结构示意图。具体实施方式本技术公开了一种N型太阳能电池组件及N型太阳能电池硅片,实现了减少N型太阳能电池硅片表面浆料的使用,降低了成本,同时提高了 N型太阳能电池的光电转换效率。下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的事实例仅仅是本技术一部分事实例,而不是全部的实施例。基于本技术的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。如图3所示,图3为本技术提供的N型太阳能电池硅片的结构示意图。本实施例提供了一种N型太阳能电池硅片,其表面设置有主栅线3和与主栅线相导通的多条辅栅线32,N型太阳能电池硅片表面经光电转换形成的光生载流子经辅栅线32收集后传递至主栅线3,再由主栅线3传递至外电路。主栅线3上至少一部分为由多条传导栅线构成的栅线组31。主栅线3上的至少一部分设置为由多条传导栅线结构的栅线组31,其在完成对由每条辅栅线32传递至主栅线3上的光生载流子传递到外电路的功能,即,能实现栅线组31与主栅线3的其他部分的导通,保证了主栅线3对光生载流子的连续的传递功能,同时,与具有实心结构的主栅线相比,由多条传导栅线构成的栅线组31减少了浆料的使用量,从而降低了主栅线3印刷的成本。由多条传导栅线构成的栅线组31相对于实心结构的主栅线,减少了浆料的使用量,使得浆料覆盖N型太阳能电池硅片表面的主栅线3位置的面积减小,即扩大了 N型太阳能电池硅片表面进行光电转换的受光面积,在一定程度上能够提高N型太阳能电池的光电转换效率。由以上N型太阳能电池硅片表面上主栅线3的至少一部分的多条传导栅线结构的栅线组31可知,本实本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种N型太阳能电池硅片,其上设置有主栅线和与所述主栅线相导通的多条辅栅线,其特征在于,所述主栅线上至少一部分为由多条传导栅线构成的栅线组。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘大伟王红芳李高非胡志岩熊景峰
申请(专利权)人:英利能源中国有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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