N型太阳能电池组件及N型太阳能电池硅片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种N型太阳能电池硅片，硅片的表面设置有主栅线和与之相导通的多条辅栅线，主栅线上设置有至少一部分为由多条传导栅线构成的栅线组。辅栅线用于将N型太阳能电池硅片表面生成的光生载流子收集并传递至主栅线，经主栅线和其上的栅线组传递到外电路中，栅线组由多条传导栅线构成，与实心结构的主栅线相比，栅线组减少了浆料的使用，降低了主栅线印刷的成本，多条传导栅线构成的主栅线又使得浆料覆盖主栅线位置的面积减小，在一定程度上能够提高N型太阳能电池的光电转换效率。本实用新型专利技术还提供了一种N型太阳能电池组件，包括包括接线盒和与之相连的N型太阳能电池硅片，该N型太阳能电池硅片为上述结构的N型太阳能电池硅片。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池制造
，更具体地说，涉及一种N型太阳能电池组件及N型太阳能电池硅片。
技术介绍
晶体硅太阳能电池已经被大规模应用到各个领域，其良好的稳定性和成熟的工艺流程是其大规模应用的基础。N型太阳能电池作为晶体硅太阳能电池的一种类型，其以N型直拉单晶硅为基体，硅片的背面是覆盖有SiO2和SINx双层钝化膜的硼扩散制备的P型发射结，硅片的正面是磷扩散制备的前表面场，前表面场上覆盖有起钝化和减反射作用的薄膜。如图I所示，图I为现有技术中晶体硅太阳能电池生产工艺流程图。N型太阳能电 池的生产时，首先需要对制作N型太阳能电池的硅片进行清洗，通过化学清洗的过程达到对硅片表面的结构化处理，然后将清洗后的硅片进行扩散工艺，P型硅片在扩散后表面变成N型，形成P-N结，此时对形成P-N结的硅片进行周边刻蚀工艺，以去掉在扩散工艺中在硅片边缘形成的导电层，然后经平板PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition-等离子体增强化学气相沉积法)工艺，即沉积减反射膜，印刷工艺和烧结工艺等制作得到符合要求的N型太阳能电池。晶体硅太阳能电池经PECVD本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型太阳能电池硅片，其上设置有主栅线和与所述主栅线相导通的多条辅栅线，其特征在于，所述主栅线上至少一部分为由多条传导栅线构成的栅线组。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘大伟，王红芳，李高非，胡志岩，熊景峰，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：实用新型
国别省市：