一种太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液及其应用制造技术

本发明专利技术属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液及其应用。本发明专利技术提供了一种太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液，该水膜溶液为葡萄糖和双氟磺酰亚胺盐分散于水中所形成，采用上述水膜溶液在硅片的扩散面(正面)上形成保护层，再进入刻蚀槽刻蚀背面和边缘的PN结，这样能够抑制刻蚀液中挥发的酸在水膜中的重新溶解，从而减小对扩散面(正表面)PSG和PN结的破坏。

Solar cell silicon chip etching water film solution and application thereof

The invention belongs to the technical field of solar cells, in particular to a solar cell silicon chip etching water film solution and its application. The invention provides a solar cell silicon etching membrane water solution, the water film and glucose solution as double fluorosulfonylimide salt formed by dispersing in water, the water film on silicon diffusion solution (positive) surface protective layer is formed on the PN junction enters the etching groove and the edge of the back etching, which can inhibition of volatile acid etching in the water film in the re dissolved, thereby reducing the diffusion surface (positive surface) PSG and PN junction damage.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池
，特别涉及一种太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液及其应用。
技术介绍
制造硅太阳能电池的一般方法是：首先将表面干净的P型或者N型硅片经过制绒工序形成绒面结构；其次在硅片表面扩散制结，形成N+或者P+的发射极，经过湿法刻蚀去掉硅片侧面和背面的扩散层；然后在其正表面再形成一层具有减反射功能的SiN薄膜；最后在硅片正背面分别制作金属电极，经过烧结过程形成晶硅太阳能电池。其中，在湿法刻蚀前，一般需要采用水膜保护的方法，在硅片进入刻蚀槽前，在硅片正面喷一层水膜，防止药液翻液到硅片正面造成过刻而导致扩散面PN结遭到破坏。但问题在于：在用混酸进行刻蚀或抛光时，刻蚀槽中的高浓度酸(例如HF、硝酸等)易挥发，随着挥发量的增加挥发出来的酸会重新溶解在水膜中，对电池表面造成气相腐蚀，破坏了表面的PN结；其次，为了去除硅片背面的绒面形成背抛光结构，需要较大刻蚀量(一般指硅片背面的刻蚀量大于等于6微米时)，这也进一步加剧了对PN结的腐蚀破坏，单纯的水膜已经无法非常好地保护正面PN结了。
技术实现思路
本专利技术针对上述技术问题，提供了一种太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液，该水膜溶液为葡萄糖本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液，其特征在于：所述的水膜溶液为葡萄糖和双氟磺酰亚胺盐分散于水中所形成。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液，其特征在于：所述的水膜溶液为葡萄糖和双氟磺酰亚胺盐分散于水中所形成。2.如权利要求1所述的太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液，其特征在于：所述的葡萄糖在水膜溶液中的含量为1.5～4.0g/L。3.如权利要求1所述的太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液，其特征在于：所述的双氟磺酰亚胺盐为双氟磺酰亚胺钠或双氟磺酰亚胺锂，其在水膜溶液中的含量为0.1～0.35mol/L。4.一种如权利要求1至3任一项所述的水膜溶液的应用，其特征在于：(1)采...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙铁囤，张凯胜，吴家宏，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32