一种减少太阳能电池片刻蚀酸用量的工艺方法技术

一种减少太阳能电池片刻蚀酸用量的工艺方法，它包括以下步骤：(1)用氢氟酸溶液对电池片进行去PSG；(2)用氢氟酸和硝酸的混合液刻蚀掉硅片的边缘部分；(3)用纯水清理电池片表面的杂质与残留的酸；(4)用KOH溶液去除电池片表面的多孔硅，并中和刻蚀过程中残留在表面的酸；(5)用纯水清理表面的杂质与残留的碱；(6)用氢氟酸溶液中和电池片表面的碱；(7)用纯水清洗掉电池片表面上的酸并吹干。其有益效果：无需使用高浓度的酸就可以刻蚀掉电池片的边缘部分，而且不易出现刻蚀不足的问题，同时可以减少氢氟酸与硝酸的用量，降低成本，提高生产的安全性。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】，它包括以下步骤：(1)用氢氟酸溶液对电池片进行去PSG；(2)用氢氟酸和硝酸的混合液刻蚀掉硅片的边缘部分；(3)用纯水清理电池片表面的杂质与残留的酸；(4)用KOH溶液去除电池片表面的多孔硅，并中和刻蚀过程中残留在表面的酸；(5)用纯水清理表面的杂质与残留的碱；(6)用氢氟酸溶液中和电池片表面的碱；(7)用纯水清洗掉电池片表面上的酸并吹干。其有益效果：无需使用高浓度的酸就可以刻蚀掉电池片的边缘部分，而且不易出现刻蚀不足的问题，同时可以减少氢氟酸与硝酸的用量，降低成本，提高生产的安全性。【专利说明】
本专利技术涉及。
技术介绍
目前常规的P型晶硅太阳能电池片在扩散过程中产用的是背靠背扩散方式，在硅 片边缘部分将不可避免的发生磷扩散，这样会导致在PN结正面所收集的电流光生电子沿 着边缘传输到PN结的边缘部分，从而导致短路。由于扩散过程中有氧的通入，这样会在硅 片的表面形成一层二氧化硅，在600度的高温下生成P0C13，部分P原子取代了硅片表面原 晶格上的Si原子形成n型半导体，而其中有一部分则留在了 Si02*形成了 PSG。PSG的存 在会使硅片表面容易受潮，会导致电流的降低和功率的衰减。针对扩散带来的问题，需要刻 蚀掉硅片的边缘部分以及去除PSG。目前在采用的工艺步骤为：1、用氢氟酸和硝酸的混合 液刻蚀掉硅片的边缘部分；2、用纯水清洗硅片表面的杂质与残留的酸；3、用氢氧化钾溶液 去除硅片表面的多孔硅，中和刻蚀残留在表面的酸；4、用纯水清理硅片表面的杂质与残留 的碱；5、用氢氟酸溶液中和硅片表面的碱，去除硅片表面的PSG ;6、用纯水清理硅片表面的 酸并吹干，采用这种方法去除PSG以及刻蚀掉硅片的边缘部分，需要耗费大量的酸，宄其原 因，是因为扩散后的硅片表面有一层PSG，刻蚀槽的酸的浓度必须在很高的情况下才可以把 硅片的边缘部分刻蚀掉，否则就会出现很多刻蚀不足的情况。然后，刻蚀酸的用量大，不仅 提高了生产成本，而且对生产环境也造成一定的污染，不利于员工的生产操作。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供，既可以有 效的刻蚀掉硅片的边缘部分以及PSG，又可以减少刻蚀酸的用量，降低成本，并提高生产操 作时的安全性。 为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案： ，它包括以下步骤： (1).用氢氟酸溶液对电池片进行去PSG ; (2).用氢氟酸和硝酸的混合液刻蚀掉硅片的边缘部分； (3).用纯水清理电池片表面的杂质与残留的酸； (4).用KOH溶液去除电池片表面的多孔娃，并中和刻蚀过程中残留在表面的酸； (5).用纯水清理表面的杂质与残留的碱； (6).用氢氟酸溶液中和电池片表面的碱； (7).用纯水清洗掉电池片表面上的酸并吹干。 本专利技术与现有技术相比，具有如下有益效果：无需使用高浓度的酸就可以刻蚀掉 电池片的边缘部分，而且不易出现刻蚀不足的问题，同时可以减少氢氟酸与硝酸的用量，降 低成本，提高生产的安全性。 【具体实施方式】 下面结合实施例对本专利技术进一步说明。 本专利技术，它包括以下步骤： (1).用氢氟酸溶液对电池片进行去PSG ; (2).用氢氟酸和硝酸的混合液刻蚀掉硅片的边缘部分； (3).用纯水清理电池片表面的杂质与残留的酸； (4).用KOH溶液去除电池片表面的多孔娃，并中和刻蚀过程中残留在表面的酸； (5).用纯水清理表面的杂质与残留的碱； (6).用氢氟酸溶液中和电池片表面的碱； (7).用纯水清洗掉电池片表面上的酸并吹干。 产用
技术介绍
中的工艺流程需要的用酸量如下表1所示： 表 1 【权利要求】1. ，其特征在于：它包括以下步骤： (1) .用氢氟酸溶液对电池片进行去PSG; (2) .用氢氟酸和硝酸的混合液刻蚀掉硅片的边缘部分； (3) .用纯水清理电池片表面的杂质与残留的酸； (4) .用KOH溶液去除电池片表面的多孔硅，并中和刻蚀过程中残留在表面的酸； (5) .用纯水清理表面的杂质与残留的碱； (6) .用氢氟酸溶液中和电池片表面的碱； (7) .用纯水清洗掉电池片表面上的酸并吹干。【文档编号】H01L31/18GK104505431SQ201410771109【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年12月11日 优先权日:2014年12月11日 【专利技术者】胡天赐, 崔红星, 张文锋, 胡应全, 林海峰 申请人:东方日升新能源股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减少太阳能电池片刻蚀酸用量的工艺方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1).用氢氟酸溶液对电池片进行去PSG；(2).用氢氟酸和硝酸的混合液刻蚀掉硅片的边缘部分；(3).用纯水清理电池片表面的杂质与残留的酸；(4).用KOH溶液去除电池片表面的多孔硅，并中和刻蚀过程中残留在表面的酸；(5).用纯水清理表面的杂质与残留的碱；(6).用氢氟酸溶液中和电池片表面的碱；(7).用纯水清洗掉电池片表面上的酸并吹干。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡天赐，崔红星，张文锋，胡应全，林海峰，
申请(专利权)人：东方日升新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33