图像传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种图像传感器。该图像传感器包括：衬底，所述衬底的第一侧形成有金属互连层；第一类型掺杂区，其位于所述衬底中；第二类型掺杂区，其位于所述衬底中，并与所述第一类型掺杂区相邻以形成光电二极管；电极层，其位于所述衬底的第二侧，其中所述电极层是可透光的；绝缘层，其位于所述电极层与所述衬底之间；其中，所述电极层与所述衬底之间具有预定电势差，以使得所述衬底的第二侧的表面形成第二类型导电层。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

图像传感器
本技术涉及半导体
，更具体地，本技术涉及一种图像传感器。
技术介绍
传统的图像传感器通常可以分为两类电荷稱合器件(Charge Coupled Device, (XD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。其中，CMOS图像传感器具有体积小、功耗低、生产成本低等优点，因此，CMOS图像传感器易于集成在例如手机、笔记本电脑、平板电脑等便携电子设备中，作为提供数字成像功能的摄像模组使用。CMOS图像传感器通常包括光电二极管以用于收集光能并转换为电荷信号。特别地，为了减少暗电流，在形成光电二极管的衬底表面会掺杂离子以形成钉扎(pinning)层。 该钉扎层通常与衬底接触以使得其具有相同的电势，当光电二极管完全耗尽时，光电二极管的电势被钉扎在恒定值，从而减少暗电流。然而，对于背照式(Back Side Illumination, BSI)图像传感器,其衬底通常需要被减薄到2至4微米以使得光电二极管从背面露出。之后才能在衬底背面继续注入掺杂离子以形成钉扎层。由于衬底厚度太薄，钉扎层的离子注入难以采用快速退火(RTA)来激活注入离子，通常需要改用激光退本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的第一侧形成有金属互连层；第一类型掺杂区，其位于所述衬底中；第二类型掺杂区，其位于所述衬底中，并与所述第一类型掺杂区相邻以形成光电二极管；电极层，其位于所述衬底的第二侧，其中所述电极层是可透光的；绝缘层，其位于所述电极层与所述衬底之间；其中，所述电极层与所述衬底之间具有预定电势差，以使得所述衬底的第二侧的表面形成第二类型导电层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵立新，霍介光，李杰，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：