【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种图像传感器，其特征在于，包括像素阵列，所述像素阵列中的一个或多个像素单元包括一个源跟随晶体管，所述源跟随晶体管是结型场效应晶体管，其包括：第一导电类型衬底；第二导电类型阱，位于所述第一导电类型衬底中；第二导电类型淀积掺杂层，位于所述第一导电类型衬底表面外并至少部分位于所述第二导电类型阱上；第一导电类型源区，位于所述第二导电类型阱中；第一导电类型漏区，位于所述第一导电类型衬底中和/或位于所述第二导电类型阱中；第一导电类型掺杂层，至少部分位于所述第二导电类型阱与所述第二导电类型淀积掺杂层之间，以使得所述第一导电类型源区与所述第一导电类型漏区电连接，并在其与所述第二导电类型阱之间以及其与所述第二导电类型淀积掺杂层之间分别形成PN结。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵立新，李文强，蒋珂玮，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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