【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
如场效应晶体管(FET)或二极管的半导体器件被用于各种应用。此类半导体器件通常需要满足在诸如能够输送浪涌电流和软开关的特征方面的具体要求。由于诸如浪涌电流能力和开关特性的此类特征受器件中的电子和空穴的多余载流子分布的影响，因此期望能使过量载流子分布适合于该器件的不同操作模式，以便提高诸如浪涌电流能力和软开关特性的特征。
技术实现思路
根据本半导体器件的一个实施例，半导体器件包括半导体二极管。半导体二极管包括漂移区和形成在漂移区中或形成在漂移区上的第一导电类型的第一半导体区。第一半导体区经由第一半导体本体的第一表面电耦接于第一端子。该半导体二极管还包括电耦接至第一端子的第二导电类型的通道区。通道区的底部邻接第一半导体区。通道区的第一侧邻接第一半导体区。进一步地，第一半导体区是P型阳极区，并且通道区是η型通道区。进一步地，P型阳极区的位于η型通道区的底部与漂移区的顶侧之间的部分被构造为累积每单位面积的空间电荷，并且每单位面积的空间电荷小于P型阳极区与η型阴极区之间的每单位面积的击穿电荷。进一步地,通道区沿横向方向的最大宽度W1满足SOnn...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体二极管，包括：漂移区；第一导电类型的第一半导体区，形成在所述漂移区中或形成在所述漂移区上，所述第一半导体区经由半导体本体的第一表面电耦接至第一端子；以及第二导电类型的通道区，电耦接至所述第一端子，其中所述通道区的底部邻接所述第一半导体区，并且所述通道区的第一侧邻接所述第一半导体区。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：汉斯彼得·费尔斯尔，弗朗茨·赫尔莱尔，安东·毛德，汉斯约阿希姆·舒尔茨，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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