【技术实现步骤摘要】
本文中讨论的实施方案涉及。
技术介绍
氮化物半导体具有例如高饱和电子漂移速度和宽带隙的性质。因此，正尝试通过利用这样的性质将氮化物半导体用于高压、高功率的半导体器件。例如，作为氮化物半导体的GaN具有3. 4eV的带隙，该带隙大于Si的带隙(1.1eV)和GaAs的带隙(1. 4eV)。因此， GaN具有高的击穿场强，并且是非常有前景的用作用于获得高压操作和高功率的电源用半导体器件的材料。已经有关于包含氮化物半导体的半导体器件(例如场效应晶体管)、特别是高电子迁移率晶体管(HEMT)的大量报告。在GaN基HEMT中，例如，包括由GaN制成的电子传输层和由AlGaN制成的电子供给层的AlGaN/GaN-HEMT正引起注意。在AlGaN/GaN-ΗΕΜΤ中， 由于GaN和AlGaN之间的晶格常数差异，所以在AlGaN中产生应力。由于AlGaN的自发极化和由这样的应力引发的压电极化，所以获得了高浓度的二维电子气(2DEG)。因此，AlGaN/ GaN-HEMT有望作为高效率开关元件、用于电动车辆的高压功率器件或类似物。然而，与Si半导体器件(例如由Si制成的晶体管)相...
【技术保护点】
一种化合物半导体器件，包括：衬底；和设置在所述衬底之上的化合物半导体层，其中所述化合物半导体层包括第一区域，所述第一区域具有通过活化第一杂质所产生的第一导电型载流子，并且所述化合物半导体层还包括第二区域，所述第二区域具有与所述第一区域相比更低浓度的载流子，所述第二区域所具有的所述载流子是通过活化与所述第一杂质为相同类型的第二杂质产生的。
【技术特征摘要】
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