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本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括衬底和设置在衬底之上的化合物半导体层，其中所述化合物半导体层包括第一区域，所述第一区域具有通过活化第一杂质所产生的第一导电型载流子，并且化合物半导体层还包括第二区域，所述第二区...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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