半导体外延结晶基板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种具有低的栅极泄漏电流与小到可忽视的栅极滞后、漏极滞后、电流崩塌特性的、带电介质膜的氮化镓类半导体外延结晶基板。半导体外延结晶基板的制造方法是向通过有机金属气相生长法生长的氮化物半导体结晶层表面，赋与构成钝化膜或栅极绝缘膜并具有非结晶形的氮化物电介质或氧化物电介质的电介质层的制造方法，其中，在外延生长炉内使所述氮化物半导体结晶层生长之后，直接在该外延生长炉内使所述电介质层与所述氮化物半导体结晶层连续生长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
以往，将异质界面中产生的二维电子气体作为沟道的器件(GaN-MIS-HFET)在高频、高输出特性优良方面尤其引人注目。在制造 这样氮化镓类晶体管的情况下，利用光刻技术来加工作为用于其的功能构 件的半导体外延结晶基板，制作所需的晶体管，此时，根据目的，采用向 半导体外延结晶基板施加了栅极绝缘膜、钝化膜等构件的器件方式。栅极绝缘膜是为了防止栅极电极的泄漏电流而设置在栅极金属与半 导体结晶之间的保护膜。已知一般形成于氮化物半导体中的肖特基电极表 示比理论上预想的值大的泄漏电流，设置栅极绝缘膜来降低该泄漏电流。另一方面，钝化膜是为了稳定化半导体表面以使该表面的电气性状不 变化而设置在半导体结晶表面的保护膜。若半导体表面的电气性状变化， 则器件动作时示出称为栅极滞后、漏极滞后、电流崩塌的过渡电流响应， 存在引起输出降低或阈值电压的变动的问题，所以必要时设置钝化膜。在设置这种保护膜的情况下，为了简化制造工序或降低制造成本，较 多由相同材料将钝化膜与栅极绝缘膜构成为电介质膜。在现有方法中，这 种电介质膜通过如下方法来形成，即，在由有机金属气相生长(MOCVD) 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体外延结晶基板的制造方法，向通过有机金属气相生长法生长的氮化物半导体结晶层表面，赋与构成钝化膜或栅极绝缘膜并具有非结晶形的氮化物电介质或氧化物电介质的电介质层，其中，　在外延生长炉内使所述氮化物半导体结晶层生长之后，直接在该外延生长炉内使所述电介质层与所述氮化物半导体结晶层连续生长。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-9-15 250967/2006;JP 2007-6-12 154709/20071、一种半导体外延结晶基板的制造方法，向通过有机金属气相生长法生长的氮化物半导体结晶层表面，赋与构成钝化膜或栅极绝缘膜并具有非结晶形的氮化物电介质或氧化物电介质的电介质层，其中，在外延生长炉内使所述氮化物半导体结晶层生长之后，直接在该外延生长炉内使所述电介质层与所述氮化物半导体结晶层连续生长。2、 根据权利要求l所述的半导体外延结晶基板的制造方法，其中， 使用有机金属作为金属原料，使用乙醚或水作为氧原料，使用氨作为氮原料，并利用有机金属气相生长法使电介质层生长。3、 根据权利要求2所述的半导体外延结晶基板的制造方法，其中， 电介质层的至少一部分的生长为边供给作为5族原料的氨边进行。4、 根据权利要求l、 2或3所述的半导体外延结晶基板的制造方法， 其中，电介质层的至少一部分的生长通过使用氮作为载气来进行。5、 根据权利要求1或2所述的半导体外延结晶基板的制造方...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐泽洋幸，西川直宏，秦雅彦，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]