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本发明提供一种具有低的栅极泄漏电流与小到可忽视的栅极滞后、漏极滞后、电流崩塌特性的、带电介质膜的氮化镓类半导体外延结晶基板。半导体外延结晶基板的制造方法是向通过有机金属气相生长法生长的氮化物半导体结晶层表面，赋与构成钝化膜或栅极绝缘膜并具有...
该专利属于住友化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友化学株式会社授权不得商用。

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