GaN基半导体结晶成长用多晶氮化铝基材及使用该基材的GaN基半导体的制造方法技术

本发明专利技术提供对使GaN结晶成长有效的多晶氮化铝基板。其是用于使GaN基半导体晶粒成长的作为基板材料的多晶氮化铝基材，其特征在于，含有1～10质量％的烧结助剂成分，热传导率150W/m·K以上，且在基板表面没有最大直径超过200μm的凹部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
从环境问题及节能的观点触发，作为新光源的LED (发光二极管)及半导体激光器等光半导体器件及使用宽带隙半导体的功率器件(Power Device)的开发正在推进。作为用于这些器件的半导体，作为其构成层，GaN、InGaN、AlGaN、InAlGaN等氮化镓(GaN)基半导体备受关注并被使用。例如，在LED元件中，为层叠了多层GaN基等薄的层的 构造。例如，在特开2004-111766号公报(专利文献I)中，使用GaN层和GaAlN层的多层构造。通过如何高效且以均匀的厚度制造如此薄的半导体层，决定半导体元件的成品率。在氮化镓(GaN)基的半导体器件的制造中，通常使用外延成长法。作为外延基板，迄今为止使用蓝宝石或SiC基板，但问题是成本高(蓝宝石、SiC)。特别是由于蓝宝石基板及SiC基板为单晶，所以难以将基板尺寸大型化。另外，近年来，为提高半导体芯片的取得数量，期望增大蓝宝石基板使GaN层成长。现有技术文献专利文献专利文献1:特开2004-111766号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在基板上成长GaN (氮化镓)基结晶的情况下，问题是基板表面的凹凸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.27 JP 2010-2156971. GaN基半导体结晶成长用多晶氮化铝基材，其是用于使GaN基半导体晶粒成长的作为基板材料的多晶氮化铝基材，其特征在于，含有I 10质量％的烧结助剂成分，热传导率 150ff/m · K以上，且基板表面没有最大直径超过200 μ m的凹部。2.如权利要求1所述的多晶氮化铝基材，其中，上述烧结助剂成分含有选自稀土元素、 稀土元素氧化物、及稀土元素铝氧化物构成的组中的至少一种以上。3.如权利要求1或2所述的多晶氮化铝基材，其中，上述凹部为选自孔隙、AlN晶粒的脱粒、及烧结助剂成分的脱粒构成的组中的至少一种。4.如权利要求1 3中任一项所述的多晶氮化铝基材，其中，上述凹部的最大直径为 50 μ m以下。5.如权利要求1 4中任一项所述的多晶氮化铝基材，其中，上述多晶氮化铝基板的表面粗糙度(Ra)为O.1ym以下。6.如权利要求1 5中任一项所述的多晶氮化铝基材，其中，上述...

【专利技术属性】
技术研发人员：小森田裕，中山宪隆，高浪健太郎，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝高新材料公司，
类型：
国别省市：