成膜装置、成膜装置的维护方法制造方法及图纸

本申请公开了一种成膜装置及成膜装置的维护方法。在成膜室的两侧的侧面下部分别设置有各两处、总计四处点火部。点火部在对可燃性的副生成物点火时通电。在成膜室的侧面上形成有用于测定成膜室内的压力的第一检测部。在成膜室的侧面下部形成有第二检测部。在成膜室的上部形成有测定成膜室内的空间温度的第三检测部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在基板上形成被膜的成膜装置及其维护方法。本申请基于2010年06月25日于日本申请的特愿2010-145350号主张优先权，在此援用其内容。
技术介绍
现在的太阳能电池中，单晶硅(Si)型和多晶硅型占据大半。但是，担心Si的材料不足等，近年来，制造成本低且材料不足的风险小的形成有薄膜Si层的薄膜太阳能电池的需求升高。进而，在现有型的仅a-Si (非晶硅)层的薄膜太阳能电池的基础上，最近通过层积a-Si层与yc-Si (微晶硅)层从而实现转换效率的提高的叠层型薄膜太阳能电池的需求升高。 这种薄膜太阳能电池的薄膜硅层(半导体层)的成膜多使用等离子体CVD装置。作为等离子体CVD装置，存在群集式PE-CVD (等离子体CVD)装置、线列型PE-CVD装置、批次式PE-CVD装置等。但是，叠层型薄膜太阳能电池的制造上的课题在于使用CVD法形成微晶硅(μ rn-Si)发电层时同时生成的副生成物即大量的聚硅烷粉的处理。聚硅烷粉为茶褐色粉末(茶粉)，因具有可燃性，故其处理需要注意。当在成膜室内连续进行基板的成膜时，副生成物附着在成膜室内的各处。该副生成物在之后的成膜时附着在基板上时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：林卓郎，曽我部浩二，松本浩一，桥本征典，中村久三，萩原宗源，内田宽人，森胜彦，清水康男，坂元盛昭，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：
国别省市：