成膜装置、成膜装置的维护方法制造方法及图纸

本申请公开了一种成膜装置及成膜装置的维护方法。在成膜室的两侧的侧面下部分别设置有各两处、总计四处点火部。点火部在对可燃性的副生成物点火时通电。在成膜室的侧面上形成有用于测定成膜室内的压力的第一检测部。在成膜室的侧面下部形成有第二检测部。在成膜室的上部形成有测定成膜室内的空间温度的第三检测部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在基板上形成被膜的成膜装置及其维护方法。本申请基于2010年06月25日于日本申请的特愿2010-145350号主张优先权，在此援用其内容。
技术介绍
现在的太阳能电池中，单晶硅(Si)型和多晶硅型占据大半。但是，担心Si的材料不足等，近年来，制造成本低且材料不足的风险小的形成有薄膜Si层的薄膜太阳能电池的需求升高。进而，在现有型的仅a-Si (非晶硅)层的薄膜太阳能电池的基础上，最近通过层积a-Si层与yc-Si (微晶硅)层从而实现转换效率的提高的叠层型薄膜太阳能电池的需求升高。 这种薄膜太阳能电池的薄膜硅层(半导体层)的成膜多使用等离子体CVD装置。作为等离子体CVD装置，存在群集式PE-CVD (等离子体CVD)装置、线列型PE-CVD装置、批次式PE-CVD装置等。但是，叠层型薄膜太阳能电池的制造上的课题在于使用CVD法形成微晶硅(μ rn-Si)发电层时同时生成的副生成物即大量的聚硅烷粉的处理。聚硅烷粉为茶褐色粉末(茶粉)，因具有可燃性，故其处理需要注意。当在成膜室内连续进行基板的成膜时，副生成物附着在成膜室内的各处。该副生成物在之后的成膜时附着在基板上时，产生作为薄膜太阳能电池的转换效率下降等的问题。以往，为了防止静电、防止副生成物的飞散，在成膜室的维护(清洁)之前对副生成物喷水(水蒸气)(例如，参考专利文献I)。但是，在该方法中，副生成物因水(水蒸气)而变为液体，具有粘性因而难以去除。另外，因使用水而存在维护后的腔室的启动耗费时间等的问题。专利文献I :特开2010-1554号公报
技术实现思路
本专利技术有鉴于以往的实情，第一目的在于提供一种能够在非成膜时迅速且简便地处理含有形成硅膜时产生的聚硅烷的副生成物的成膜装置。进而，本专利技术的第二目的在于提供一种能够在非成膜时迅速且简便地处理含有形成硅膜时产生的聚硅烷的副生成物的成膜装置的维护方法。为了解决上述问题达到上述第一和第二目的，本专利技术的若干方案提供如下的。(I)本专利技术的一个方案所涉及的成膜装置，具备成膜室，在减压下在基板上形成被膜；点火部，对在所述成膜室内产生的可燃性的副生成物进行点火；第一气体供给部，对所述成膜室供给氧气；第二气体供给部，对所述成膜室供给氮气；以及第一检测部，测定所述成膜室内的压力。(2)在上述(I)所述的成膜装置中，还可以在所述成膜室中设置有测定所述副生成物的温度的第二检测部。(3)在上述(I)或(2)所述的成膜装置中，还可以在所述成膜室中设置有测定所述成膜室内的空间温度的第三温度检测部。(4)本专利技术的一个方案所涉及的成膜装置的维护方法，为在减压下在基板上形成被膜的成膜装置的维护方法，从所述成膜装置的成膜室内向该成膜室外搬送形成有被膜的所述基板(工序A)，对所述成膜室内导入氧气(工序B)，对因成膜产生的可燃性的副生成物进行点火(工序C)，使所述副生成物燃烧(工序D)，对所述成膜室内导入氮 气(工序E)，从所述成膜室去除在使所述副生成物燃烧时产生的不燃性的氧化副生成物(工序F)。(5)上述(4)所述的成膜装置的维护方法还可以在所述工序D中，补给氧气以使所述成膜室的压力大致固定。(6)上述(4)或(5)所述的成膜装置的维护方法还可以在所述工序D中，闭锁所述成膜室的排气系统。(7)上述(4)至(6)中的任一项所述的成膜装置的维护方法还可以在所述工序C和所述工序D中，进行压力控制以使所述成膜室的压力大致相同。(8)上述(4)至(6)中的任一项所述的成膜装置的维护方法还可以所述工序C进行压力控制以使与所述燃烧工序相比所述成膜室的压力为低压。(9)上述(4)至(8)中的任一项所述的成膜装置的维护方法还可以通过氮气稀释从所述成膜室排出的排气气体。根据本专利技术的上述方案所涉及的成膜装置，通过对成膜室内的副生成物供给氧气并使其燃烧，从而能够使可燃性的副生成物变为不燃性的氧化物。因此，能够在非成膜时迅速且简便地处理含有形成硅膜时产生的聚硅烷的副生成物。根据本专利技术的上述方案所涉及的成膜装置的维护方法，通过具备对成膜室内的副生成物进行点火，供给氧气并使其燃烧的工序，从而能够使可燃性的副生成物变为不燃性的氧化物。因此，能够在非成膜时迅速且简便地处理含有形成硅膜时产生的聚硅烷的副生成物。附图说明图I是表示被成膜物的一例即薄膜太阳能电池的一例的概要剖视图；图2是本专利技术的一实施方式中的成膜装置的概要结构图；图3A是相同实施方式中的成膜室的立体图；图3B是从其他角度观察相同实施方式中的成膜室的立体图；图3C是相同实施方式中的成膜室的侧视图；图3D是表不相同实施方式中的点火部的一例的剖视图；图4A是相同实施方式中的电极单元的立体图；图4B是相同实施方式中的电极单元的其他角度的立体图；图4C是相同实施方式中的电极单元的部分分解立体图；图4D是相同实施方式中的电极单元的阴极单元和阳极单元的部分剖视图5A是相同实施方式中的放入取出室的立体图；图5B是相同实施方式中的放入取出室的其他角度的立体图；图6是相同实施方式中的推挽机构的概要结构图； 图7A是表示相同实施方式中的基板装卸室的概要结构的立体图；图7B是表示相同实施方式中的基板装卸室的概要结构的前视图；图8是相同实施方式中的基板收容盒的立体图；图9是相同实施方式中的托架的立体图；图10是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(I)；图11是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(2)；图12是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(3)；图13是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(4)；图14是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(5)；图15A是表示相同实施方式中的推挽机构的动作的说明图(I)；图15B是表示相同实施方式中的推挽机构的动作的说明图(2)；图16是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(6)；图17是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(7)；图18是表示相同实施方式所涉及的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(8)，是基板插入电极单元时的概要剖视图；图19是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(9)；图20是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(10)；图21是表示相同实施方式所涉及的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(11)，是基板设置于电极单元时的部分剖视图；图22是表示相同实施方式所涉及的成膜过程的说明图(12)；图23是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(13)；图24是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(14)；图25是表示相同实施方式所涉及的成膜装置的成膜过程的说明图(15)；图26是表示相同实施方式所涉及的实施方式中的成膜装置的其他方案的概要结构图；图27是表示本专利技术的实施方式中的成膜装置的另一配置方法的概要结构图；图28是表示本专利技术的实施方式中的成膜装置的又一配置方法的概要结构图；图29是表示本专利技术的实施方式中的成膜装置的维护方法的工序B、工序C、工序D、工序E-1、工序E-2的说明图；图30是表示在相同实施方式所涉及的成膜装置的维护方法的上述各工序中成膜室压力的变化的图表；图31是表示本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：林卓郎，曽我部浩二，松本浩一，桥本征典，中村久三，萩原宗源，内田宽人，森胜彦，清水康男，坂元盛昭，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：
国别省市：