外延生长基板与半导体装置、外延生长方法制造方法及图纸

使Ⅲ族氮化物半导体于Si单结晶基板上进行异质外延生长时，抑制在晶片端部发生的裂化。区域A为主要面外侧的最外周部，如图所示，其是施加了锥形加工的斜边部。区域B与区域C在同一平面即在于主要面上，区域B即镜面部为主要面的中心部，区域C为围绕区域B的主要面端部区域。主要面的面方位为（111）面，在区域B上施加有镜面加工。区域B占据了此Si单结晶基板11主要面的大部分，在其上面制造半导体装置。区域C即粗面部的面方位与区域B相同，为（111）面，但是相对于区域B上施加有镜面加工，而区域C上则施加有粗面加工。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种将化合物半导体在其上面进行外延生长的外延生长基板，以及在使用该外延生长基板上形成的化合物半导体而构成的半导体装置。此外，还涉及制造该半导体装置时进行的外延生长方法。
技术介绍
以GaN为代表的III族氮化物半导体由于其带隙大的关系，被作为蓝色、绿色等发光二极管LED、镭射二极管LD等发光元件及动力元件的材料而广泛使用。在制造使用了硅等的LSI等之半导体装置时，使用切出大口径的大块结晶而获得的大口径晶片的做法，但在这样的化合物半导体上却难以获得如4英尺口径以上等大口径的大块结晶。为此，在制 造使用这种化合物半导体之半导体装置时，通常使用在与其不同材料组成的基板上将该化合物半导体进行异质外延生长而得到的晶片。此外，构成LED与LD的pn结与异质结也是进一步通过在其之上进行外延生长来获得。例如，作为能使GaN单结晶生长的外延生长基板材料，已知的有监宝石、SiC等等。这些材料比较容易获得大口径的大块结晶，而且通过对其面方位进行适当选择，能够使GaN在这些结晶组成之基板上进行异质外延生长，从而可以获得由大口径GaN单结晶形成的晶片。然而，这些材料组成的基板价格昂贵，因此人们本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：生田哲也，日野大辅，柴田智彦，
申请(专利权)人：同和电子科技有限公司，
类型：
国别省市：