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使Ⅲ族氮化物半导体于Si单结晶基板上进行异质外延生长时，抑制在晶片端部发生的裂化。区域A为主要面外侧的最外周部，如图所示，其是施加了锥形加工的斜边部。区域B与区域C在同一平面即在于主要面上，区域B即镜面部为主要面的中心部，区域C为围绕区域B...
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