【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】结晶锗的等离子体增强化学气相沉积
技术介绍
本专利技术的实施例关于电子、光电、与光伏电路的制造中的结晶锗的沉积。结晶锗(Ge)用于许多电子器件的应用上，所述电子器件包括半导体、光电与光伏器件，例如存储器器件、光检测器、与光伏电池等。举例而言，单层或多层的结晶锗膜用于制作高效率多结光伏电池，所述光伏电池具有半导体的多重薄膜，诸如砷化镓、磷化镓铟、与锗p-n结。每一类的半导体具有特征带隙能量，所述带隙能量引发半导体在呈现一部分电磁光谱的某波长下最有效地吸收光。结晶锗层亦用作光学互连(optical interconnect)中的光检测器，以将光学信号转换成电信号。光学互连用于连接光学路径、波导件、以及光纤，以供传输包含信息、代码或数据的光学信号。举例而言，光学互连用在集成电路芯片中，以取代互补金属氧化物半导体(CMOS)结构中的金属互连，这是因为相较于金属互连而言，光学互连相对上尺寸较小、速度较快、且具有较高的数据携带容量。因常规硅光检测器无法侦测经常用在光学通信上的近红外光，所以结晶锗在光检测器的制造上特别实用。这些高性 能光检测器是通过形成结晶锗层于介电基板上而制成，所...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：V·T·恩古耶，夏立群，M·巴尔塞努，D·R·威蒂，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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